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1.
本文利用激光刻蚀模板,在水溶液中电沉积制备金属铜薄膜,讨论了温度、电流、硫酸铜浓度对薄膜形貌的影响,采用SEM对制备的铜薄膜进行表征.结果表明,在沉积温度为30℃、沉积电流为4 A·dm~(-2)(表观工作电流密度)、硫酸铜浓度在20~50 g·L~(-1)的水溶液中电沉积可以得到中空馒头状和开口碗状结构的铜薄膜.利用激光刻蚀模板,在离子液体1-丁基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐([BMI][TfO])-30Vol%丙醇混合电解质中电沉积CIGS薄膜,研究了沉积电势、沉积时间对薄膜形貌的影响.SEM观察发现,在沉积电势为-1.8 V、沉积时间为1.5 h条件下电沉积可以得到近似柱状的簇状花束样的CIGS薄膜,电沉积铜后再进一步电沉积CIGS,得到了均匀有序的鼓包柱状结构的Cu/CIGS复合薄膜.通过恒电势方波法对制备的薄膜真实表面积进行测试,计算结果表明,与无模板电沉积制备的CIGS薄膜相比,激光刻蚀模板法制备的Cu/CIGS复合薄膜的表面积提高了约8倍.  相似文献   
2.
通过恒电位电沉积法在离子液体N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)铵四氟硼酸铵([DEME][BF4])中,在玻碳电极上制备了铂纳米颗粒。首先探究了不同沉积电势和不同沉积时间对铂纳米粒子微观形貌的影响,由SEM和TEM图发现在-2.5 V下沉积480 s制备的铂纳米粒子的平均粒径约为2.38 nm。使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和电子衍射(SAED)对其晶体结构进行表征,证明了铂纳米粒子为面心立方(fcc)晶体结构。在硫酸中测试铂纳米粒子的催化性能,发现其暴露出明显的(110)和(100)晶面。进一步对铂的电沉积行为进行研究发现,PtⅣ的两步还原是由扩散过程和电化学过程共同控制。  相似文献   
3.
通过恒电位电沉积法在离子液体N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)铵四氟硼酸铵([DEME][BF4])中,在玻碳电极上制备了铂纳米颗粒。首先探究了不同沉积电势和不同沉积时间对铂纳米粒子微观形貌的影响,由SEM和TEM图发现在-2.5 V下沉积480 s制备的铂纳米粒子的平均粒径约为2.38 nm。使用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和电子衍射(SAED)对其晶体结构进行表征,证明了铂纳米粒子为面心立方(fcc)晶体结构。在硫酸中测试铂纳米粒子的催化性能,发现其暴露出明显的(110)和(100)晶面。进一步对铂的电沉积行为进行研究发现,Pt(Ⅳ)的两步还原是由扩散过程和电化学过程共同控制。  相似文献   
4.
采用循环伏安法(CV)对离子液体Reline中三元CuCl2+InCl3+SeCl4体系和四元CuCl2+InCl3+GaCl3+SeCl4体系的电化学行为进行了研究。研究表明,In3+并入三元CIS(Cu-In-Se)薄膜体系和Ga3+并入四元CIGS(Cu-In-Ga-Se)薄膜体系均有两种途径:一是发生共沉积,二是直接还原。利用电感耦合等离子体发射光谱(ICP)和扫描电镜(SEM)对沉积电势、镀液温度和主盐浓度对CIGS薄膜组成、镀层表面形貌的影响进行了测试,结果表明通过工艺参数的选择可以控制Ga/(Ga+In)和CIGS薄膜组成并得到化学计量比为Cu1.00In0.78Ga0.27Se2.13的薄膜。  相似文献   
5.
研究了1-4丁炔二醇和乙二胺作为添加剂对在离子液体1-甲基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐中电沉积Cu的影响。紫外可见光吸收光谱结果表明,当采用1-4丁炔二醇作为添加剂时,1-4丁炔二醇吸附在工作电极表面且未与溶液中的Cu2+形成配合物。扫描电镜测试结果表明由于1-4丁炔二醇与离子液体的正离子的竞争吸附使得Cu的沉积电势发生正移并使镀层表面更加均匀平整。当采用乙二胺作为添加剂时,紫外可见光吸收光谱和循环伏安测试结果表明乙二胺与溶液中的Cu2+离子形成带有正电荷的络合离子使得Cu的沉积电势发生正移,扫描电镜和原子力显微镜测试结果表明得到了更加均匀的镀层。当同时加入1-4丁炔二醇和乙二胺时,Cu的沉积电势仍然发生正移并得到具有纳米粒径的镀层。  相似文献   
6.
本文采用1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(EMIPF6)、六氟磷酸锂(LiPF6)和偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物(P(VdF-HFP))为原料制得P(VdF-HFP)-EMIPF6-LiPF6体系离子液体凝胶聚合物电解质,选取碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸二乙酯(DEC)以及碳酸乙烯酯(EC)和碳酸丙烯酯(PC)混合物(EC-PC)作为离子液体凝胶聚合物电解质的添加剂,分别研究了它们对聚合物电解质膜电化学性能的影响。结果表明:加入EC-PC的P(VdF-HFP)-EMIPF6-LiPF6电解质膜的电化学窗口达到4.6 V,锂离子迁移数为0.44,30 ℃时离子电导率为1.65 mS·cm-1;而DEC、DMC、EMC对电解质膜的电化学稳定性、锂离子迁移数存在不良的影响,对离子电导率的提高不明显。研究了正极材料LiCoO2在P(VdF-HFP)-EMIPF6-LiPF6+EC-PC电解质中的充放电循环性能,其首次放电比容量达到116.5 mAh·g-1,充放电20次后,电池容量没有明显衰减。  相似文献   
7.
离子液体中钴的电沉积行为   总被引:3,自引:0,他引:3  
在含有氯化钴的室温离子液体氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC)和乙二醇(EG)体系中研究了金属钴的电沉积. 循环伏安法测试表明, 在EMIC-CoCl2熔盐中, 乙二醇的加入促进了EMIC的解离, 从而使氧化还原电流增大, 在EMIC-CoCl2-EG体系中钴的电沉积是受扩散控制的非可逆电极过程, 在该电解液体系中, Co(II)在Pt电极上的传递系数α为0.30, 扩散系数D0为4.16×10-6 cm·s-1; 计时电流法研究表明, 钴在铂电极上的电结晶过程符合三维连续成核的生长机理; 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观察镀层的微观形貌显示, 金属钴的结晶细小. XRD分析证实, 镀层为纯钴, 沉积的钴是晶态和微晶态的混合物, 并且晶粒尺寸为纳米级.  相似文献   
8.
研究了离子液体镀液中Co、Zn的共沉积行为。ZnCl2-EMIC -CoCl2电解液的循环伏安曲线上出现了三个电流峰,对应的电极电位分别为250mV、50mV、-200mV(vs. Zn2+/Zn)。结合EDS成分分析,可断定这三个电流峰分别对应着Co的电沉积、Co电极上Zn的欠电位沉积和Co-Zn合金的电沉积。恒电位沉积表明,当控制阴极电位在100 mV(vs. Zn2+/Zn)左右时,可得到高纯度的钴镀层;若进行恒电流沉积,则当电流密度为85mA/cm2左右时能够得到高纯度的钴镀层。对Co、Zn的共沉积机理研究表明,Co的电沉积过程和Zn 在Co上的欠电位沉积过程均受扩散过程控制。  相似文献   
9.
SNAP溶胶组成对镁合金涂层耐蚀性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文利用纳米自组装颗粒工艺(SNAP)在AZ31B镁合金表面制备了防腐涂层。通过透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)观察及电化学阻抗谱(EIS)、电导率测试等,对SNAP溶胶的纳米粒子形态和电导率,以及SNAP涂层的表面形貌和耐蚀性进行了测试,研究了不同含量的有机硅烷前躯体3-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)和正硅酸乙酯基硅烷(TEOS)、溶剂水、助溶剂无水乙醇、交联剂三乙烯四胺(TETA)等对镁合金SNAP涂层耐蚀性的影响。研究结果表明,随着溶胶中TEOS和TETA含量的增大,镁合金涂层耐蚀性呈先增大后减小的趋势;随着溶胶中水含量的增大,镁合金涂层耐蚀性提高;溶胶中无水乙醇的含量较低时,对镁合金涂层耐蚀性的影响较小。  相似文献   
10.
Porous anodic alumina (PAA) was used as a template to prepare Co nanowires array from 1-ethyl-3-methylimidazolium chloride ionic liquid by direct current method. The surface morphology of porous anodic alumina template was observed by field emission-scanning tunneling microscopy (FE-SEM) before and after the electrodeposition of Co nanowires. The electrodeposition of Co nanowires was characterized by transmission electron microscopy (TEM) and X-ray powder diffraction (XRD). TEM results indicate that the Co nanowire surface is coarse and porous when aqueous solution was used as electrolyte, and the Co nanowire deposited from the ionic liquid is uniform and smooth. XRD results show that the electrodeposition of Co is a mixture of crystal and microcrystal phase.  相似文献   
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