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1.
ICP等离子体鞘层附近区域发光光谱特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能最分布,采用光发射谱(OES)测量技术,对不同射频功率、放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究.原子谱线和离子谱线特性分析表明,在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度.改变放电气压和射频功率,对得到的光谱特性分析表明,鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大,在低压下随气压的升高而增大.低激发电位原子谱线强度增加迅速,高激发电位原子谱线强度增加缓慢,而离子谱线强度增加很不明显.改变基底直流偏压,对得到的发射光谱强度变化分析表明,谱线强度随基底正偏压的增加而增大.随着基底负偏压的加入,谱线强度先减小而后增大;直流偏压为-30 V时,光谱强度最弱.快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源.  相似文献   
2.
 采用校正的分子动力学方法研究了超短脉冲熔化单晶铜的动力学微观机制,建模时将熔化潜热的消耗及自由电子的热传导均考虑在内,使熔化过程的模拟更加真实。皮秒激光熔化单晶铜是一种过热熔化,可归因于液相在固相中的均匀形核。熔沿传播的速度高达5.8 nm/ps ,高于铜中声速。熔化发生在热约束区域内部,导致温度分布不太复杂,且卸载波对应力波的影响与应力约束区域相比较弱。  相似文献   
3.
用氩气稀释硅烷作为反应气体,利用感应耦合等离子体在廉价衬底上大面积均匀沉积微晶硅薄膜.X射线衍射和拉曼分析表明衬底能显著地影响晶向,且微晶硅薄膜由小晶粒组成.台阶仪测试表明,微晶硅薄膜具有大范围均匀的特点.探针分析表明衬底附近区域的离子密度及电子温度分布均匀.基于以上结果可知:粗糙表面在晶体结构形成具有重要的作用,电感耦合等离子体反应器可以大面积均匀沉积薄膜.此外,氩气能影响反应过程并提高微晶硅薄膜特性.  相似文献   
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