蓝紫光倍频材料硫氰酸汞镉晶体生长动力学和机理的研究

利用倒置相关显微锐观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体（CdHg(SCN)4）在3%的KCL溶液中的生长形貌：在（100）面上呈现为生长直线台阶列，在锥面上呈现生长丘。在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率，发现晶体在过饱和度低于2.5%时不生长。计算了晶体不同面的界面相变熵因子。通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制。     

SBN晶体中Eu3+激发态的能量传递

通过选择激发SBN晶体中处于不同晶场位的Eu³⁺离子,得到⁵D₀→⁷F₁的时间分辨荧光光谱,确定了不等价晶场位的离子间的能量转移速率。荧光峰随激发波数的变化表明局部晶场的连续畸变。 关键词：     

KNSBN掺Cu晶体高反射率自泵浦位相共轭反射镜

利用KNSBN掺Cu晶体实现了自泵浦位相共轭;掺Cu量0.04wt％的晶体自泵浦位相共轭反射率高达65％;测量了自泵浦位相共轭反射率,响应时间和氩离子激光波长的关系。     

掺杂钾钠铌酸锶钡光折变晶体的各向异性衍射

本文给出了关于光折变晶体各向异性衍射的二波耦合方程,还给出了三种分别掺Cu,Ce,Co的钨青铜结构系列单晶(厚度为0.6—0.8cm)钾钠铌酸锶钡(KNSBN)在He-Ne激光(λ=6328?)照射下产生的光致光栅衍射实验结果。根据二波耦合理论,解释了这三种光析变晶体的衍射图样分布。根据波矢图的分析得出结论:对于不同性(正或负)单轴晶体,只能存在一种各向异性衍射的圆环图样(e→o衍射或o→e衍射)。理论分析与实验基本符合。 关键词：     

Pr3+在SBN晶体中的发光特性

通过测量Ｐｒ：ＳＢＮ晶体的吸收光谱和荧光光谱来确定Ｐｒ³⁺在ＳＢＮ晶体中的能级位置。由于Ｐｒ³⁺离子占据晶体中的不同格位而引起荧光带呈现双峰结构。测量荧光寿命随温度的变化关系，表明Ｐｒ³⁺在ＳＢＮ晶体中 ³Ｐ₀态的无辐射弛豫主要是 ³Ｐ₀→¹Ｄ₂多声子弛豫过程。 关键词：     

SBN晶体中Eu~(3+)激发态~5D_0的无辐射跃迁

通过测量~5D_0→~7F_2发射带的荧光寿命与晶体温度的依赖关系,研究了Eu~(3+)激发态~5D_0的无辐射跃迁.结果表明,~5D_0→~7F_2带的温度淬灭效应主要是由于电荷转移态的最低能量太低,~5D_0态易被热激活至电荷转移,然后通过电荷转移无辐射弛豫至~7F_2态.     

KDP晶体台阶生长动力学的激光干涉实验研究

采用迈克尔逊干涉技术 ,通过测量KDP晶体生长的法向速率和台阶斜率来研究其台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性 .实验表明 ,KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大 ,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为 10 .3× 10 -2 和 5 .2 1× 10 -2 cm/s,位错源在晶体表面的形状、面积的变化 ,以及Burgers矢量的变化是造成晶体生长动力学测量数据重复性差的主要原因     

TGS晶体生长多形性和其表面扩散生长机制

选取了TGS晶体的(001),(110),(010)和(100)四个面为研究对象,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用;同时,在较高的相对过饱和度下,观察到了TGS自结体的两种简单晶形. 关键词： TGS晶体 生长多形性 表面扩散     

Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌与生长速度的关系

观察测量了不同生长速度(相应于不同降温速度)自发成核生长的Yb∶YAl3(BO3)4晶体形貌。粒度较大(>2mm)的晶体不管降温速度快慢形态都很简单,只发育六方柱｛1120｝和菱面体｛1011｝;粒度较小(<2mm)的晶体形态随降温速度增快而变复杂,发育一些罕见的高指数晶面。说明在生长速度较快的条件下,在晶体生长早期,一些高能面发育,在晶体生长后期已尖灭了,晶体生长的大部分时间是在低能面｛1120｝和｛1011｝上进行的。对比了不同生长条件下晶面的粗糙度,随着降温速度的增快,六方柱面｛1120｝和菱面体面｛1011｝由光滑变粗糙,顶面｛0001｝永远是粗糙的。从晶体结构上定性地探讨了3种晶面的杰克逊因子α及生长机理