自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描．明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23～39 meV．     

Optimization of highly efficient terahertz generation in lithium niobate driven by Ti:sapphire laser pulses with 30 fs pulse duration

We systematically study the optimization of highly efficient terahertz(THz) generation in lithium niobate(LN)crystal pumped by 800 nm laser pulses with 30 fs pulse duration. At room temperature, we obtain a record optical-to-THz energy conversion efficiency of 0.43% by chirping the pump laser pulses. Our method provides a new technique for producing millijoule THz radiation in LN via optical rectification driven by joule-level Ti:sapphire laser systems, which deliver sub-50-fs pulse durations.     

基于渗透边界的Bump型面反设计方法

为克服乘波体方法设计Bump型面灵活性不足的问题,发展出一套可适用于三维非结构网格的渗透边界反问题设计方法。融合渗透边界和运动边界的处理方法,应用扩展的流线追踪技术将渗透边界的反问题设计技术扩展到三维非结构网格。在激波面上将渗透速度与激波切向速度组合成"虚拟渗透速度",通过追踪该速度获得修正后的激波面形状。在24325的网格量下得到最终的Bump型面及其激波形状只需3min左右,与正圆锥流场截取的Bump型面相比误差为1.5%左右。通过数值计算表明渗透边界的反问题方法设计的Bump型面可以有效地排除前体低能流。从而为Bump型面的设计提供了一个新的方法。     

meso-四(对羟基苯基)卟啉的合成——一个本科开放性实验

在综合性开放实验中开展了meso-四(对羟基苯基)卟啉(THPP)的化学合成及理化性质测定,通过文献调研,综合运用所学知识,分析可能的反应机理,探讨影响产率的主要因素,优化了反应条件,使产率得以提高。