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采用电化学沉积Ag的方法对多孔硅表面进行钝化改善其发光性能,探讨了沉积电流密度大小与沉积Ag的形式以及多孔硅表面亲水性处理对沉积Ag均匀性的影响. 结果表明,改变沉积电流密度大小后出现了两个临界电流密度,即不发生Ag沉积和在PS表层形成Ag电镀,深入PS孔道内沉积Ag的电流密度范围为50～400 A/cm2;多孔硅表面亲水性处理对沉积Ag均匀性有积极作用,在相同的实验条件下,未经表面亲水性处理的疏水多孔硅表面沉积Ag不均匀,而经过SC-1溶液处理后的亲水多孔硅表面上沉积Ag分布较均匀. 进一步研究了均匀沉积Ag钝化处理对PS的光致发光强度和稳定性的影响,证明采用Ag钝化处理能有效地抑制发光强度的衰减;而过量的Ag沉积会使PS发生荧光猝灭现象. 相似文献
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