萘酞菁LB膜取向液晶研究

利用二(3-叔丁基硅氧基)萘酞菁硅 (SiNc) Langmuir-Blodgett (LB) 膜对丝状液晶的定向进行了研究,发现在不同膜压下沉积的SiNc LB膜具有不同的定向效果.在15mN/m低膜压下沉积的LB膜上丝状液晶主要呈沿膜面水平排列,而30mN/m高膜压下沉积的LB膜则取垂直膜面取向.原子力显微镜(AFM)对相应的LB单层膜和多层膜进行的分子尺度上的形貌研究发现,高膜压条件下SiNc分子以分离的单体或聚集体形式非连续地在基片上呈线性堆积排列,形成一定的分子“纳米线”,并且大环平面垂直于基片 关键词：     

聚合物LB膜定向铁电液晶的特性

利用新近合成的聚酰亚胺ＬＢ膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺ＬＢ膜进行扫描探测,发现相应的ＬＢ膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的ＬＢ膜可以提高较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而ＬＢ膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。     

聚合物LB膜定向铁电液晶的特性

利用新近合成的聚酰亚胺LB膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺LB膜进行扫描探测,发现相应的LB膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的LB膜可以提供较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而LB膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。     

表面稳定铁电液晶器件灰度特性的测量研究

观察到了多畴结构铁电液晶的灰度显示现象,测量了表面稳定铁电液晶像素透率与驱动电压的依赖关系,研究了液晶盒导电玻璃RC常数以及驱动脉冲持续时间对器件电光响应波形的影响,对这几种情况所得到的光电倍增管的响应波形作了分析和解释,同时对产生这种灰度现象的机理作了讨论。     

PREPARATION OF STRIPE-SHAPED DOMAIN STRUCTURE IN FERROELECTRIC LIQUID CRYSTAL AND THE FABRICATION OF SPATIAL LIGHT MODULATOR

The stripe-shaped domain (SSD) structure was prepared in the initial ferroelectric liquid crystal (FLC) alignment without the application of an external electric field, which was realized by the aligning layer modification through the doping of tin tetra-2, 4-dimethyl phenoxy phthalocyanine (SnPc) into the rubbed polyimide films. Atomic force microscopy was used to investigate the alignment films and the corresponding aligning ability was evaluated through the pre-tilt angle measurement. The memory capability and the contrast ratio of thus aligned SSFLC cells have been enhanced and improved with the appearance of the SSD structure. The electrically controlled 64×64 FLC spatial light modulator was fabricated using the improved ligning method, which proves valuable for the practical device fabrication.     

表面稳定模式铁电液晶分子定向和电光特性研究

通过倾斜蒸镀ＳｉＯ，获得对铁电液晶分子的均匀定向。液晶单池的对比度达１５０１，响应速度达６０μｓ，并具有良好的双稳性能。利用该定向方法制成的６４×６４电寻址铁电液晶空间光调制器，对比度高于８０１，帧数高于３９／ｓ。