纳米Pd粉的热稳定性研究

采用化学液相合成法制备了纳米Pd,热稳定性研究表明,温度在773～523K内,样品的平均粒径与退火温度T之间服从Arrhenius关系,且平均粒径与退火时间t之间满足经验公式=ktn。纳米Pd的热稳定范围T≤250℃。计算得到纳米Pd颗粒生长的表观激活能为0.15eV,远比纳米复合材料的生长激活能小（约为1eV）。故纳米Pd颗粒-极易长大,热稳定范围非常窄。     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

The Near Surface Morphology of P3HT：PCBM Blend Films Studied by Near-Edge X-Ray Absorption Fine Structure

The microstructure of poly（3-hexylthiophene） （P3HT） and [6,6]-phenyl-C61 butyric acid methyl ester （PCBM） blends with various annealing temperatures are investigated in detail by the near-edge x-ray absorption fine structure. Under higher anneMing temperature （Tanneal ≥ 160℃）, P3HT shows an unusual fluidity and aggregation in the surface. After annealing, the enrichment polymer component recrystallizes and forms a single P3HT phase layer in the surface of blend films. Moreover, it gives direct evidence of the PCBM content diffusing to the near surface of blend films during annealing treatment. These findings are beneficial to improving the morphology of polymer/fullerene blend films.     

纳米Pd粉的热稳定性研究

采用化学液相合成法制备了纳米Pd,热稳定性研究表明,温度在773～523K内,样品的平均粒径d与退火温度T之间服从Arrhenius关系,且平均粒径与退火时间t之间满足经验公式d=ktn。纳米Pd的热稳定范围T≤250℃。计算得到纳米Pd颗粒生长的表观激活能为0.15eV,远比纳米复合材料的生长激活能小（约为1eV）。故纳米Pd颗粒-极易长大,热稳定范围非常窄。     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成(Y0.95Eu0.05)2O3纳米粉,用超临界干燥技术制备了n-(Y0.95Eu0.05)2O3/SiO2气凝胶介孔组装体。结果表明,当Y3+∶　Eu3+=20∶　1,均相反应时间为4 h,且经680℃、 4 h灼烧热处理后得到的n-(Y0.95Eu0.05)2O3中, 光致发光强度最大（发光峰位于612 nm),以Si与 2Y摩尔比为1∶　7的n-(Y0.95Eu0.05)2O3/SiO2气凝胶介孔组装体,经同样条件热处理后,光致发光强度达不到n-(Y0.95Eu0.05)2O3的红光发射强度,而且峰位出现红移（发光峰在616 nm）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。