场致发射显示器驱动电路研究进展及其性能研究

场致发射显示是一种新型的平板显示技术，场致发射显示器继承了传统的阴极射线管显示器的优良特性，兼有液晶等薄型平板显示器的优点，具有广阔应用前景。介绍了几种不同阴极结构的场发射显示器工作原理及相应的驱动电路，分析并比较了二极管型和三极管型两种场致发射显示器的驱动电路，对新型场致发射平板显示器的理论研究具有参考意义。     

Influence of spin–orbit coupling on spin-polarized electronic transport in magnetic semiconductor nanowires with nanosized sharp domain walls

Influence of spin–orbit coupling on spin-polarized electronic transport in magnetic semiconductor nanowires with nanosized sharp domain walls is investigated theoretically.It is shown that the Rashba spin–orbit coupling can enhance significantly the spin-flip scattering of charge carriers from a nanosized sharp domain wall whose extension is much smaller than the carrier's Fermi wavelength.When there are more than one domain wall presented in a magnetic semiconductor nanowire,not only the spin-flip scattering of charge carriers from the domain walls but the quantum interference of charge carriers in the intermediate domain regions between neighboring domain walls may play important roles on spin-polarized electronic transport,and in such cases the influences of the Rashba spin–orbit coupling will depend sensitively both on the domain walls' width and the domain walls' separation.     

二氧化碳在柔性ZIF-8笼中平均停留时间的分子动力学模拟

采用巨正则蒙特卡洛和分子动力学模拟方法研究了二氧化碳分子在柔性ZIF-8材料中吸附位点和扩散机理. 通过构建合理的时间相关函数,得出了二氧化碳分子在柔性ZIF-8笼中的平均停留时间. 结果表明,二氧化碳分子待在同一个笼中的停留时间可达到几十个皮秒. 并且发现平均停留时间几乎随着压力(或负载量)的增加而线性增加.     

脉冲激光沉积PMN-PT薄膜及其性能研究

以较低温度烧结获得的PMN-PT块材料为靶,采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备了PMN-PT薄膜,研究了后续退火处理对PMN-PT薄膜的结构及光学特性的影响.结果显示,采用脉冲激光沉积可获得质量较好的钙钛矿结构的PMN-PT薄膜,优化的后续退火温度大约在550℃～750℃之间.     

高分子负载Yb(NTf2)3催化酯化及硝化反应

高分子负载Yb(NTf2)3催化酯化及硝化反应;高分子负载;Lewis酸催化;酯化;硝化     

锂离子电池正极材料线团状α-MnO2的合成及电化学性能

以MnSO₄, (NH₄)₂S₂O₈为反应物,Ag⁺作为催化剂的溶液相方法合成了线团状的α-MnO₂。采用XRD、SEM和TEM等手段对合成产物进行了表征。发现反应温度和反应时间对产物的结晶度和形貌有很大的影响。通过恒电流充电/放电测试和循环伏安法(CV)对最终产物的电化学性能进行了表征。结果表明,由于其独特的形态,25 ℃下反应2 d的产物作为锂离子电池正极材料,表现出良好的循环稳定性(100次循环后放电比容量为124 mAh·g^-1)。线团状α-MnO₂在锂离子电池应用中可能是一个潜在的正极材料。     

Fe/Si多层膜亚层厚度比对β-FeSi_2薄膜结构和表面形貌的影响

采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜。多层膜的总厚度为252nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1nm/3.2nm、2nm/6.4nm和20nm/64nm。在850℃,Ar气气氛中退火2h后,Si衬底上的多层膜完全生成了β-FeSi2相。但石英衬底上同样Fe/Si亚层厚度比的多层膜除了生成β-FeSi2相,还生成了少量的ε-FeSi相。通过增加Si亚层的厚度至Fe/Si亚层厚度比为2nm/7.0nm,在石英衬底上也获得了单相的β-FeSi2薄膜,其光学带隙为0.87eV,表面均方根粗糙度为2.34nm。     

Static Dielectric Function and Interaction Potential in Strong Coupling with AdS/CFT

In this paper, we study the static dielectric function and interaction potential in strong coupling limit with AdS/CFT correspondence. The dielectric function is depressed compared with that in weak coupling. The interaction potential then presents a weaker screening characteristics in strong coupling, which indicates a smaller Debye mass compared with weak coupling.