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1.
本文采用激光爆破法高能原子氧束源研究了纳米粘土增强环氧树脂复合材料的抗原子氧性能. 研究了四种样品:纯环氧树脂,纳米粘土含量为1 wt%,2 wt%和4 wt%的纳米粘土增强环氧树脂复合材料,结果表明腐蚀深度随着纳米粘土含量的增加而降低,当掺杂纳米粘土含量为4 wt%时,腐蚀深度为纯环氧树脂腐蚀深度的28%∽37%;X射线光电子能谱(XPS)分析表明原子氧轰击后,材料表面C-C/C-H键比例减少,C-O键、酮类比例增加,表面氧化程度增加,掺杂纳米粘土的材料表面生成了新的碳酸盐,掺杂4 wt%纳米粘土的复合材料表面氧化程度增加最小;扫描电子显微镜(SEM)结果显示含有纳米粘土的复合材料表面被原子氧轰击后在纳米粘土团簇处形成了“块状”物质,掺杂4 wt%纳米粘土的复合材料,“块状”物质尺寸和分布密度最大;综合腐蚀深度,XPS,以及SEM结果表明,虽然所有表面都一定程度地被原子氧腐蚀和氧化,但掺杂纳米粘土的复合材料表面由于生成了“块状”物质,阻挡了原子氧进一步腐蚀其下的材料,提高了抗原子氧性能.  相似文献   
2.
本文采用激光爆破法高能原于氧束源研究了纳米粘土增强坏氧树脂复合材料的抗原子氧性能.研究了四种样品:纯环氧树脂,纳米粘土含量为1 wt%,2 wt%和4 wt%的纳米粘土增强环氧树脂复合材料,结果表明腐蚀深度随着纳米粘土含量的增加而降低,当掺杂纳米粘土含量为4 wt%时,腐蚀深度为纯环氧树脂腐蚀深度的28%~37%;X射线光电子能谱(XPS)分析表明原子氧轰击后,材料表面C-C/C-H键比例减少,C-O键、酮类比例增加,表面氧化程度增加,掺杂纳米粘土的材料表面生成了新的碳酸盐,掺杂4 wt%纳米粘土的复合材料表面氧化程度增加最小;扫描电子显微镜(SEM)结果显示含有纳米粘土的复合材料表面被原子氧轰击后在纳米粘土团簇处形成了"块状"物质,掺杂4 wt%纳米粘土的复合材料,"块状"物质尺寸和分布密度最大;综合腐蚀深度,XPS,以及SEM结果表明,虽然所有表面都一定程度地被原子氧腐蚀和氧化,但掺杂纳米粘土的复合材料表面由于生成了"块状"物质,阻挡了原子氧进一步腐蚀其下的材料,提高了抗原子氧性能.  相似文献   
3.
研究了涂敷量对双选择体手性固定相分离特性的影响。分别将纤维素-三(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)与纤维素-三(4-甲基苯甲酸酯),直链淀粉-三(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)与直链淀粉-三(4-甲基苯甲酸酯)进行共混,得到两种共混合物。以这两种共混合物为手性选择体,制备了涂覆量分别为17%及25%的四种手性固定相。评价了这些固定相的手性分离性能,结果表明:增加手性选择体的涂覆量,直链淀粉衍生物双选择体固定相的手性分离性能得到提高,而纤维素衍生物固定相的手性分离性能则稍有降低。较高涂覆量的纤维素衍生物固定相在含叔丁醇、异丁醇和正丁醇流动相中的保留因子依次减小,而其手性识别能力依次增强。  相似文献   
4.
通过光学显微镜、拉曼光谱确定了CVD(化学气相沉积法)制备的不同厚度MoS2的层数,采用拉曼分析结合原子力显微镜观测分析了由HIRFL提供的高能209Bi离子辐照CVD制备的单层MoS2样品随辐照注量的损伤规律。随辐照注量增加,E2g1和A1g两种声子振动模式对应的拉曼峰逐渐蓝移,且拉曼特征峰强度减弱,这是由于带正电荷的209Bi辐照产生潜径迹型晶格缺陷吸附空气中氧分子而引入p型掺杂引起的。同时,在辐照注量为5×1010 ions/cm2的单层MoS2的AFM图像中观察到潜径迹主要以凹坑形式出现,与机械剥离法观测到的凸起径迹明显不同,分析了不同制备工艺对径迹形貌的影响。比较了机械剥离法制备MoS2样品的拉曼光谱和AFM成像的实验数据和结果,认为不同制备方法会影响单层或少层MoS2的电子密度。The layer number of MoS2 with different thickness was determined by the optical microscope and Raman spectra. And the damage effect of the CVD (chemical vapor deposition) prepared single-layer MoS2 sample irradiated by 209Bi ions was analyzed by the combination of Raman analysis and AFM observations. With the increase of irradiation fluence, the Raman characteristic peaks of E2g1 and A1g corresponding to both phonon vibration modes gradually bluely shift, and the intensity of the peaks obviously decreased. This is due to the fact that the 209Bi ion irradiation results in the latent track type lattice defects and they adsorb the oxygen molecules in the air ended with the p-type doping. Meanwhile, from the AFM image of the mono-layer of irradiated MoS2 under the 5×1010 ions/cm2, it can been seen that latent tracks mainly occur in the form of pits, which different from the hillock tracks observed by mechanical stripping method. The influence of different preparation technology to the track morphology is analyzed. Compared with the Raman and AFM results of MoS2 prepared by mechanical stripping, it is considered that different preparation methods will affect the electron density in single or few layers of MoS2.  相似文献   
5.
利用Geant4蒙特卡洛程序包, 基于RPP (Rectangular ParallelePiped Volume)模型构建SRAM器件单元的灵敏体积, 编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法, 得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线, 计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69 MeV/(cm-2·mg)的Bi离子及LET值为69 MeV/(cm-2·mg)的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。 计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。In this paper, the sensitive volume of SRAMs was constructed based on RPP(Rectangular ParallelePiped Volume) model using the Monte-Carlo code Geant4. The interactions of heavy ion with materials and the SEU(Single Event Upset) cross section calculation method were presented in the program. The SEU cross section curves with the linear energy deposition ware obtained. The SEU threshold value and saturation cross section were consistent with the testing data with heavy ions beam. The δ electrons distribution were different in the device material, which were generated by Bi ion with LETs of 99.67 MeV/(cm2·mg) and Bi ion, Xe ion with LETs of 69 MeV/(cm-2·mg). These results indicate δ electrons distribution impacts on the SEU cross section. According to the relation of energy deposition in the sensitive volume, the δ electrons distribution have more and more important effect on the Single Event Effect with reducing the feature size of semiconductor devices.  相似文献   
6.
随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。  相似文献   
7.
Monte Carlo simulations reveal considerable straggling of energy loss by the same ions with the same energy in fully-depleted silicon-on-insulator (FDSOI) devices with ultra-thin sensitive silicon layers down to 2.5 nm. The absolute straggling of deposited energy decreases with decreasing thickness of the active silicon layer. While the relative straggling increases gradually with decreasing thickness of silicon films and exhibits a sharp rise as the thickness of the silicon film descends below a threshold value of 50 nm, with the dispersion of deposited energy ascending above ±10%. Ion species and energy dependence of the energy-loss straggling are also investigated. For a given beam, the dispersion of deposited energy results in large uncertainty on the actual linear energy transfer (LET) of incident ions, and thus single event effect (SEE) responses, which pose great challenges for traditional error rate prediction methods.  相似文献   
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