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Fe—C纳米微料的透射电镜观察与选区电子衍射分析 总被引:1,自引:1,他引:0
利用透射电镜观察和选区电子衍射分析研究了在18kPa的Ar气氛中通过交流电弧法制备的Fe-C纳米微粒。结果表明微粒主要为两种类型:一类是FeC合金微粒,另一类是具有氧化层结构的Fe微粒,不同粒径的微粒类呈现不同聚集特性。 相似文献
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采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO 2(x=002,004,006).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明 了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性 ,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.
关键词:
稀释磁性半导体
掺杂
烧结
铁磁性
1-xMnx O2')" href="#">Sn1-xMnx O2 相似文献
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C(膜)/Si(SiO2 )(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流辉光溅射+真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料- C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,并对其进行了退火处理.用TEM、 SEM、 XRD和XPS对其进行了形态结构分析.TEM观察表明: Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形,粒径在30 nm左右.SEM观察表明: 夹层膜样品总厚度约为50 μm,膜表面比较平整、致密.400℃退火后,样品表面变得凹凸不平,出现孔状结构; 650℃退火后,样品表面最平整、致密且颗粒均匀.XRD分析表明:制备出的夹层膜主要由SiO2和Si组成,在C原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下, SiO2和Si的含量随加热温度的升高而呈现交替变化: 400℃时, C的还原作用占主导地位, SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高; 400~650℃时,氧化作用占主导地位, Si又被氧化成SiO2, Si含量降低, SiO2含量逐渐上升,在650℃达到最高.XPS分析表明: 在加热过程中, C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)微粒层,在650℃与Si反应生成了新的SiC. 相似文献
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C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流辉光溅射+真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料-C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,并对其进行了退火处理,用TEM,SEM,XRD和XPS对其进行了形态结构分析,TEM观察表明:Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形,粒径在30nm左右,SEM观察表明:夹层膜样品总厚度约为50um ,膜表面比较平整,致密,400度退火后,样品表面变得凹凸不平,出现孔状结构;650度退火后,样品表面最平整,致密且颗粒均匀,XRD分析表明:制备出的夹层膜主要由SiO2和Si 组成,在C原子的还原作用和氧气的化作用的共同作用下,SiO2和Si含量随加热温度的升高而呈现交替变化;400度时,C的还原作用占主导地位,SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高;400-650度时,氧化作用占主导地位,Si又被氧化成SiO2,Si 含量降低,SiO含量逐渐上升,在650度达到最高,XS分析表明:在加热过程中,C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)_微粒层,在650度与Si反应生成了新的SiC。 相似文献
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超细粉氧化铝陶瓷烧结反应正电子湮没谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用正电子湮没谱(PAS)分析技术对超细粉α_Al2O3陶瓷基片(板)的烧结反应过程进行了检测研究。对在4种不同的温度下得到的烧结体作PAS分析研究,发现正电子寿命敏感于烧结温度以及不同温度下的微结构效应。根据PAS数据分析,对超细粉陶瓷烧结体的微结构缺陷及温度-相变关系作了初步探索。 相似文献
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利用透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对超微粒子Ag和Ag_2O进行了在位跟踪测试分析。两种超微粒子分别具有自发性晶化和非晶比趋势,粒子结晶核的尺寸相应的增大和减小。这种时间演变服从幂次律,并取决于粒子自身线度、表面与界面结构及形态。 相似文献
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Dependence of Tunnel Resistance on the Injection Current of Magnetic Tunnel Junctions 总被引:3,自引:0,他引:3 下载免费PDF全文
Anomalous transport behaviour,i.e.the dependence of the tunnel resistance on the injection current,has been discovered in Ta/Co/Al2O3/FeNi tunnel junctions.The zero-field voltage-current characteristic of the magnetic tunnelling junction obeys the transport principle of the normal tunnel junction at low injection current,but it exhibits a negative resistance behaviour when the injection current is raised to the break-over current level.The physics of the restorable electric breakdown has been initially studied. 相似文献
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