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本文通过密度泛函方法计算6H-SiC(0001)表面对氧分子和水分子的吸附. 在6H-SiC(0001)表面上吸附的O
2分子自发地解离成O
*,并被吸收在C与Si原子之间的空位上. 吸附的H
2O自发地分解成OH
*和H
*,它们都被吸附在Si原子的顶部,OH
*进一步可逆地转化为O
*和H
*. H
*可以使Si悬键饱和并改变O
*的吸附类型,并进一步稳定6H-SiC(0001)表面并防止其转变为SiO
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本文通过密度泛函方法计算6H-SiC(0001)表面对氧分子和水分子的吸附.在6H-SiC(0001)表面上吸附的O_2分子自发地解离成O~*,并被吸收在C与Si原子之间的空位上.吸附的H_2O自发地分解成OH~*和H~*,它们都被吸附在Si原子的顶部,OH~*进一步可逆地转化为O~*和H~*.H~*可以使Si悬键饱和并改变O~*的吸附类型,并进一步稳定6H-SiC(0001)表面并防止其转变为SiO_2.
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