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1.
利用密度泛函理论在广义梯度近似下研究了GenEu(n=1-13)团簇的生长模式和磁性.结果表明:对于GenEu(n=1-13)团簇的基态结构而言,没有Eu原子陷入笼中.这和SinEu以及其它过渡金属掺杂半导体团簇的生长模式不同.除GeEu团簇外,GenEu(n=2-13)团簇的磁矩均为7μB.团簇的总磁矩与Eu原子的4f轨道磁矩基本相等.Ge、Eu原子间的电荷转移以及Eu原子的5d、6p和6s间的轨道杂化可以增强Eu原子的局域磁矩,却不能增强团簇总磁矩.  相似文献   
2.
NiMgn(n=1—12)团簇的第一性原理研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函理论(DFT)中的广义梯度近似 (GGA),在考虑自旋多重度的情况下,对NiMgn(n=1—12)团簇进行了构型优化,频率分析和电子性质计算.结果表明:n=1,2时,体系的基态为自旋三重态,n≥3时,为单重态;Ni原子掺杂使主团簇结构发生了明显变化. n≤8时,三角双锥,四角双锥结构主导着NiMgn基态团簇的生长行为; n在9—12之间时,主团簇Mgn+1(n=1—12)的基于三棱柱构型的基态演化行为发生了一定程度的改变;n≥6时,Ni原子陷入了主团簇内部;掺杂使体系的平均结合能增大,能隙减小;n=4,6,10是团簇的幻数;不同尺寸团簇的s, p, d轨道杂化中,Ni原子3d, 4p成分所起作用不同; NiMg6基态结构具有很高的对称性(Oh),很好的稳定性和化学活性,能隙仅为0.25eV. 关键词n团簇')" href="#">NiMgn团簇 几何结构 稳定性 化学活性  相似文献   
3.
基于密度泛函理论(DFT),我们研究了SinB(n=1~12)团簇的稳定性.结果表明:SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性;电子总是从Si向B转移,B原子所带的电荷数不仅与B原子的配位数有关,还与SinB团簇的基态结构密切相关.  相似文献   
4.
葛桂贤  井群  曹海宾  杨增强  唐光辉  闫红霞 《物理学报》2011,60(10):103102-103102
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA) 对 Run Au和Run 团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率、电子性质和磁性质进行了计算. 结果表明,Run Au团簇的最低能量结构可以通过Au原子代替Run+1团簇中的Ru原子生长而成.除了局域的结构畸变,Run Au和Run+1团簇具有相似的几何结构.二阶能量差分、电离势、亲和势和分裂能表明Ru5, Ru8, Ru5Au, Ru8Au 是稳定的团簇,Au的掺杂没有改变Run 的相对稳定性.通过电子性质的分析发现,当Au原子掺杂在Run 中,团簇的化学活性增加,且团簇的能隙主要由电子的配对效应决定;对于大多数团簇来说,Au原子掺杂提高了Run Au的磁矩. 关键词: n Au和Run 团簇')" href="#">Run Au和Run 团簇 几何结构 电子性质  相似文献   
5.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对AunSc(n=2~13)的几何构型进行优化,并对能量和电子性质进行了计算.结果表明,当n≤11时,AunSc的低能量结构是平面结构,且掺杂的Sc原子没有扰乱Aun的框架;当n≥12,Sc原子陷入了金团簇所形成的笼内.二阶能量差分、分裂能、电离势、亲和势和能隙表明Au3Sc、Au5Sc、Au7Sc、Au9Sc、Au11Sc和Au13Sc是较稳定的团簇;掺杂的Sc原子提高了纯金团簇的稳定性且改变了纯金团簇化学活性的;当n≤11时,AunSc的磁矩在0.000~1.000 μB振荡;对于n≥12,AunSc的磁矩出现了猝灭.  相似文献   
6.
NiMgn(n=1-12)团簇的第一性原理研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函理论(DFT)中的广义梯度近似(GGA),在考虑自旋多重度的情况下,对NiMgn(n=1-12)团簇进行了构型优化,频率分析和电子性质计算.结果表明:n=1,2时,体系的基态为自旋三重态,n≥3时.为单重态;Ni原子掺杂使主团簇结构发生了明显变化.n≤8时,三角双锥,四角双锥结构主导着NiMgn基态团簇的生长行为;n在9-12之间时,主团簇Mgn 1(n=1-12)的基于三棱柱构型的基态演化行为发生了一定程度的改变;n≥6时,Ni原子陷入了主团簇内部;掺杂使体系的平均结介能增大,能隙减小;n=4,6,10是团簇的幻数;不同尺寸团簇的s,p,d轨道杂化中,Ni原子3d,4p成分所起作用不同;NiMg6基态结构具有很高的对称性(Oh),很好的稳定性和化学活性,能隙仪为0.25 eV.  相似文献   
7.
采用密度泛函理论对CO与钯团簇的相互作用进行了系统研究. 结果表明, PdnCO(n=1-8)体系的最低能量结构是在Pdn(n=1-8)团簇最低能量结构或亚稳态结构的基础上吸附CO生长而成; CO的吸附以端位吸附为主, 其吸附没有改变Pdn团簇的结构; CO分子在Pdn团簇表面发生的是非解离性吸附. 与优化的CO键长(0.1166 nm)相比, 除了n=2, 团簇PdnCO的C—O键长为0.1167-0.1168 nm, 吸附后C—O键长变化较小, CO分子被活化程度较小. 电荷集居数分析表明, CO的吸附对Pdn团簇的影响比较小; 二阶能量差分表明, n=4,6的团簇是相对稳定的团簇.  相似文献   
8.
密度泛函方法研究NiSin(n=1~13)团簇   总被引:2,自引:2,他引:0  
基于第一性原理,利用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)系统研究了NiSin(n=1~13)团簇,在充分考虑自旋多重度的基础上讨论了这些团簇的生长行为,电子性质及其磁性,结果表明:NiSin 1的基态结构是在NiSin的基态结构上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,Ni原子逐渐从吸附在sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂Ni原子提高了硅团簇的稳定性;NiSi10团簇的稳定性在所有团簇中是最高的;电子总是从si向Ni转移,Ni原子所带的电荷数不仅与Ni原子的配位数有关,还与Nisin团簇的基态结构密切相关;n=1~2时,团簇的自旋总磁矩为2 μB,当n≥3时,团簇的磁性消失,这可能与Ni原子内部较强的sp-d杂化以及si原子内部的s-p杂化有关.  相似文献   
9.
从第一性原理出发对NaBen(n=1—12)团簇的最低能量结构和电子性质进行了研究.结果表明,掺杂原子(Na)导致主团簇Ben的几何结构发生显著变化;出现了共价键和金属键的成键特性;Na-Be最近邻间距和能隙随着团簇尺寸的增加出现了振荡;n=4是团簇的幻数. 关键词: n团簇')" href="#">NaBen团簇 最低能量结构 电子性质  相似文献   
10.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似(GGA)对Ge(SiO2)n(n=1~7)团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率和电子性质进行了计算.结果表明,Ge(SiO2)n的最低能量结构是在(SiO2)n端位O原子以及近邻端位O原子的Si原子上吸附一个Ge原子优化得到;随着锗原子数的增加,增加的锗原子易与原来的锗原子形成锗团簇.掺杂锗原子后团簇的能隙比(SiO2)n团簇的能隙小,当多个Ge原子掺杂到(SiO2)3团簇时,其能隙随着Ge原子个数的增加出现了振荡,Gem(SiO2)3的能隙从可见光区到近红外光区变化.二阶能量差分、分裂能表明Ge(SiO2)2和Ge(SiO2)5团簇是稳定的.  相似文献   
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