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1.
用固相反应法制备La4/5Sr1/5MnO3及在其A位分别掺K、Ag系列样品,通过X射线衍射(XRD)谱,电阻率-温度(ρ~T)曲线,磁电阻-温度(MR~T)曲线,研究了在A位同时掺入一价、二价元素而保持Mn3+/Mn4+比值(摩尔比n(A)/n(B))不变的钙钛矿锰氧化物体系A位离子半径及A位离子的无序度σ2对电输运性质及磁电阻的影响.结果表明:A位离子的无序度σ2对电输运性质的影响比A位平均离子半径对电输运性质的影响大;电阻率曲线出现双峰是由于表面相电阻率与体相电阻率竞争的结果;MR的温度稳定性是本征磁电阻与隧穿磁电阻竞争的结果;掺K样品在253~175K温区MR从8.1%缓慢上升到9.5%,掺Ag样品在260K以下温区MR都在7.4%以上,纯的La4/5Sr1/5MnO3样品在318~259K温区MR都在7.0%以上,在如此宽温区MR几乎不变有利于MR的实际应用.  相似文献   
2.
研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)体系的电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.体系出现大的TCR,来源于Gd掺杂引起的额外磁性耦合.  相似文献   
3.
通过测量La1-xNaxMnO3(x=0.05、0.10、0.15、0.20、0.25、0.33)体系的M~T曲线和R~T曲线,研究了La位Na掺杂对体系磁电性质的影响.结果发现:随着Na掺杂浓度的增加,体系居里温度Tc升高,顺磁-铁磁相变逐渐变陡;伴随着顺磁-铁磁相变,体系发生金属-绝缘体相变,电阻随掺杂浓度增加而下降.体系磁电性质的变化来源于掺杂引起的Mn3 -O-Mn4 间的双交换作用、静态Jahn-Teller畸变和公差因子的变化.  相似文献   
4.
通过实验研究了La0.67-xGdxSr0.33CoO3、La0.67-xGdxSr0.33MnO3(x=0.00、0.05、0.10、0.20、0.30、0.40、0.50、0.60、0.67)体系的磁化强度与温度的关系(M~T)曲线、磁化强度与磁场强度的关系(M~H)曲线.实验结果表明,随Gd掺杂浓度增高,La0.67-xGdxSr0.33CoO3体系的磁结构表现为团簇玻璃态,x>0.10样品的M~T曲线出现了低温区M值急剧上升的奇特现象;La0.67-xGdxSr0.33MnO3体系的磁结构从长程铁磁有序向团簇玻璃态、反铁磁状态转变,x≥0.50样品的M~T曲线在低温区急剧下降.两种体系呈现的不同现象,来源于Gd与Co、Mn不同的耦合作用和Co的自旋态的转变.  相似文献   
5.
研究了La0.67Sr0.33Mn1-xCrxO3(0.00≤x≤0.30)体系的M-T曲线、p-T曲线和MR-T曲线。实验结果表明:Cr对Mn位的替代对居里温度Tc影响不明显,但是随着Cr含量的增加,电阻率和磁电阻出现双峰行为,CMR效应的温区被极大地拓宽了。体系的特殊输运行为和异常CMR效应可能是Mn^3+O-Mn^4+和Mn^3+-O-Cr3^3+两种通道共存和竞争的结果。  相似文献   
6.
用固相反应法制备了La0.67Sr0.08Na0.25MnO3样品.通过磁化强度-温度(M-T)曲线、电阻率-温度(ρ-T)曲线以及ρ-T拟合曲线研究了样品的输运性质及庞磁电阻(colossal magnetoresistance,CMR)效应.结果表明,ρ-T曲线和磁电阻-温度(MR-T)曲线均出现双峰现象;高温峰是伴随顺磁-铁磁(PM-FM)相变出现绝缘体-金属(I-M)相变,低温峰是颗粒界面效应;两个绝缘相输运机理不同:较低温度下(248K<T<274K),ρ(T)符合极化子的可变程跃迁模型,而在更高温区(330K<T<374K),ρ(T)符合极化子近邻跃迁模型;两个类金属相输运机理也不同:在低温区(67K<T<186K),满足ρ-T2.5关系,输运机理是自旋波散射和电-磁子散射作用,而在高温区(292K<T<304K),满足ρ-T2关系,输运机理是单磁子散射作用. 关键词: 庞磁电阻 金属-绝缘体转变 晶界效应 输运行为  相似文献   
7.
用固相反应法制备La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/x(Sb2O3)(x=0.00,0.02,0.04,0.05,0.075,0.10,0.15)系列样品,通过X射线衍射(XRD)谱、电阻率-温度(ρ~T)曲线、ρ~T拟合曲线、磁电阻-温度(MR~T)曲线,研究了该体系的电输运性质及MR的温度稳定性.所有样品的电输运性质都表现出绝缘体-金属相变,相变温度很高(312K)且基本保持不变,随Sb2O3复合量增大,电阻率迅速增大,类金属导电可以用ρ=ρ0+AT2公式拟合,表明导电机制是电子-电子相互作用,x=0.075的样品,在200~320K温区磁电阻基本保持不变,MR的温度稳定性是晶界引起的隧穿磁电阻与钙钛矿颗粒体相本征磁电阻竞争的结果.  相似文献   
8.
用固相反应法制备了La0.7-xSmxSr0.3MnO3,La0.7-xGdxSr0.3MnO3和La0.7-xDyxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30)系列样品.通过M~T曲线,ρ~T曲线,研究了用稀土离子替代La对La0.7Sr0.3MnO3居里温度Tc和磁电阻的影响.结果表明:稀土离子掺杂是改变钙钛矿锰氧化物居里温度和增强MR的有效途径;适量掺杂可以在室温附近产生大的磁电阻.  相似文献   
9.
共沉淀法制备Co掺杂ZnO的室温铁磁性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用共沉淀法并在5vol.%H2/Ar气流中于300 ℃退火3 h,制备了Zn1-xCoxO稀磁半导体. 扫描电子微探针分析表明,对Co的名义组分分别为0.05,0.10,0.15的样品,其实际组分分别为x=0.054, 0.100和0.159. X射线衍射表明, 主相为纤锌矿结构, x=0.100和 0.159的样品中含有CoO杂相. X射线光电子谱显示出Co有3种状态: 替代进入Z 关键词: 稀磁半导体 ZnO 共沉淀法 磁性来源  相似文献   
10.
通过测量样品的磁化强度-温度曲线、电阻率-温度曲线及磁电阻-温度曲线.研究了 Dy 掺杂(0.00≤x≤0.30)对 La_(0.7-x)Dy_xSr_(0.3)MnO_3 体系磁电性质的影响.实验发现,随 Dy 掺杂量的增加,体系磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变;x=0.20、0.30时的低温磁行为发生异常,电行为存在低温电阻率极小值现象.这些奇特现象不仅来源于掺杂引起的晶格效应,也来源于掺杂引起的额外磁性耦合.  相似文献   
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