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1.
黄金昭  李世帅  冯秀鹏 《物理学报》2010,59(8):5839-5844
利用水热法制备了垂直于衬底的定向生长的ZnO纳米棒,利用扫描电子显微镜及光致发光的方法对其形貌及光学特性进行了表征,利用场发射性能测试装置对ZnO纳米棒的场发射性能进行了测试.结果表明:利用水热法在较低的温度(95 ℃) 下生长了具有较好形貌和结构的ZnO纳米棒,并表现出了较好的场发射特性,当电流密度为1 μA/cm2时,开启电场是2.8 V/μm,当电场为6.4 V/μm时,电流密度可以达到0.67 mA/cm2,场增强因子为3360.稳定性测试表明,在5 h内,4.5 V/μm的电场下,其波动不超过25%.将制备的ZnO纳米棒应用到有机/无机电致发光中,其中ZnO纳米棒为电子传输层,m-MTDATA(4,4',4″-tris{N,(3-methylphenyl)-N-phenylamino}-triphenylamine) 为空穴传输层,得到了ZnO的342 nm的紫外电致发光,此发光较ZnO纳米棒光致发光的紫外发射有约40 nm的蓝移. 关键词: ZnO纳米棒 场发射 水热法 有机/无机复合电致发光  相似文献   
2.
黄金昭  李世帅  冯秀鹏  王培吉  张仲 《中国物理 B》2010,19(6):67803-067803
This paper utilizes the brightness-voltage waveform curve to investigate the primary electron in solid state cathodoluminescence. The results indicate that the primary electron is from the interface state of SiO2/MEH-PPV (Poly[2- methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]) under the lower electric field which contributes to the 580-nm emission. With increasing the electric field, the 405-nm emission is obtained, and under this condition, the origin of the primary electron is mainly from tunneling.  相似文献   
3.
通过扫描电镜和X射线衍射对SiO2衬底上生长并五苯和酞菁铜薄膜的表面形貌进行表征,并得到在SiO2衬底上生长的并五苯薄膜是以岛状结构生长,其大小约为100nm,且薄膜有较好的结晶取向,呈多晶态存在. 酞菁铜薄膜则没有表现出明显的生长机理,其呈非晶态存在. 还对通过掩膜的方法制作得以酞菁铜和并五苯为有源层的顶栅极有机薄膜晶体管的特性进行了研究. 有源层的厚度为40nm,绝缘层SiO2的厚度为250nm,器件的沟道宽长比(W/关键词: 有机薄膜晶体管 并五苯薄膜 酞菁铜薄膜 μEF)')" href="#">场效应迁移率(μEF)  相似文献   
4.
以TTA为配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,通过与PVK的掺杂,制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy为发光层的结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Al的发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射,和PVK在410 nm处的发光.此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰,通过分析研究,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物.用PBD代替了BCP作为电子传输层,制备了结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3DiPy/PBD/Al的发光器件,得到了纯的红色发光.  相似文献   
5.
利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(lnaphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato) aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构.实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F(o)rster无辐射共振能量转移,具有良好的电流-电压特性,光谱的窄化及蓝移,并且光谱的蓝移程度随电压的增大而逐渐增强.  相似文献   
6.
利用自制的Ba2 FeMoO6陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积技术,在钛酸锶SrTiO3 (100)衬底上,于衬底温度分别为700℃、800℃、900℃下制备出了厚度为100 nm的双钙钛矿型氧化物Ba2 FeMoO6薄膜.分别采用XRD、AFM和VSM表征了样品的结构、表面形貌和磁性质.结果表明,在衬底温度为900℃时沿c轴择优取向生长效果最佳、成膜质量最好,从生长过程角度解释了原因;样品M-H曲线表明在衬底温度不同时生长出的各样品均具有铁磁性,其磁性随衬底温度的升高而增加,分子饱和磁矩在700℃到800℃时变化显著,在800℃到900℃时变化不是很大.  相似文献   
7.
In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李世帅  张仲  黄金昭  冯秀鹏  刘如喜 《物理学报》2011,60(9):97405-097405
采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了本征ZnO薄膜和In:(Zn+In)分别为5%,8%,10%的ZnO薄膜,对薄膜的晶相结构和光电性质进行了表征并在CIE-XYZ表色系统中计算了不同样品的色品坐标.结果表明:In掺入后ZnO薄膜的择优生长方向由(002)面变为(101)面且面间距变小,当In掺杂量为5%时,In原子完全替代Zn原子;薄膜的电阻率随In含量的增加出现先抑后扬的趋势;随着In的掺入光谱的紫外发射峰红移,并在670 nm左右出现一个新的峰值;In:(Zn+In)为5%样品具有白光发射特性.从第一 关键词: In掺杂ZnO薄膜 溶胶-凝胶 色品坐标 白光发射  相似文献   
8.
固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量.其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键.为此,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能.首先将SiO2,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合:SiO2/ZnS和ZnO)/SiO2.然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO2/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中SiO2为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用.最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO2夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用.  相似文献   
9.
应用射频反应磁控溅射法制备阳极催化氧化铁镍薄膜,由循环伏安、线性扫描伏安、极化曲线和电化学交流阻抗谱等研究发生在该电极上的氧化反应.结果表明,作为活化中心的铁能使过电势降低,并且随着溅射过程氧流量的增加催化性能增强,铁的掺入使得速率限定步骤由OH^-的释放变为氧原子的结合.与镍相比,氧化铁镍是更理想的催化阳极材料,当电流密度为50mA/cm^2时,其氧的过电势比镍的下降了500mV.  相似文献   
10.
This paper investigates the morphology and crystallization properties of the two crystalline phases of pentacene grown by thermal evaporation on p^+-Si substrates at room temperature by the methods of atomic force microscopy and x-ray diffraction. This kind of substrate induces a thin film phase and a triclinic phase which are formed directly onto p^+-Si substrates and constitute a layer consisting of faceted grains with a step height between terraces of 15.8A(1A=0.1 nm) and 14.9A, respectively. Above the critical thickness of the thin film phase, lamellar structures are found with an increasing fraction with the increase of the film thickness. When the film thickness is fixed, the fraction of lamellar structures increases with the increase of annealing temperature. These lamellar structures are identified as the second phase with a interplanar distance of 14.9A corresponding to the pentacene triclinic phase. Furthermore, the thin film phase consisting of several micrometre sized uniformly oriented grains at an annealing temperature of less than 80℃ and a deposition rate of 0.6A/s is observed.  相似文献   
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