连续变量相干光通信中的联合调制编码系统(英文)

根据单束光连续变量相干光通信的编码要求,提出一种联合磁光调制和电光调制的联合调制系统;根据Stokes参量与邦加球的映射关系以及Stokes矩阵理论,分析了该系统的编码原理,构造了单光束相干光通信系统,并根据编码的需要设计了相关的磁光调制器驱动控制电路和随机数产生电路.最后利用零差检测技术测量Stokes参量;将发送码与接收码进行整形处理后,得到误码率小于3.60%的通信效果,证明了该联合调制实验方案的可行性.为连续变量密钥分配提供一种简捷的编码方法.     

基于LabVIEW的连续变量相位检测系统

构造了一种连续变量相位检测平台.发射端采用相位调制器产生连续的相移,接收端使用零差探测器测量光场的正则相位,选用NI的高性能数据采集卡PCI6111E控制整个系统.使用LabVIEW虚拟仪器模块化编程技术,包括PID控制、DAQmx数据采集和三角拟合,缩短系统开发时间,提高编程效率.通过琼斯矩阵理论推导和实验验证了连续变量相位检测系统的可行性,结果表明零差探测器输出电压与相位调制器输入电压成余弦关系,为连续变量量子密钥分配研究提供了一种新方法.     

Hf8C12金属碳多面体电子结构的从头计算研究

用赝势从头计算方法研究Hf₈C₁₂多面体．先对T和Td分子构型作几何优化，发现Td对称构型比T构型稳定．利用非限制的Hartre Fock方法及自然键轨道分析研究Td构型的Hf₈C₁₂基团，结果表明：Hf₈C₁₂存在三种自旋不同的基态，这种基态的多样性与成键机制、电子组态和电子能谱分布密切相关．其中S=0时，Hf₈C₁₂主要是由外四面体Hf原子与类乙烯C₂单元形成极性共价键构成．S=1时，6个类乙炔C₂单元吸附在Hf₈金属框架．S=2时，部分C₂中的ｐπ键断裂与Hf原子形成ｄ←ｐπ键．进一步分析发现，Td对称性的结构模型为(Hf₈)^+4.5(C^-0.75₂)₆，在高自旋态下具有铁磁性，电子能级分布及其能隙随自旋态而变化． 关键词：     

M@C28(M=Ti，Zr，Hf)内裹配合物的电子结构及其稳定性

用Ｂ３ＬＹＰ赝势模型的密度泛函理论,对Ｍ＠Ｃ２８（Ｍ＝Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ）内裹配合物电子结构进行从头计算研究．计算包括确定稳定的几何结构参量的分子几何结构进行优化和自然键轨道分析．结果发现Ｔｉ与Ｃ２８基团的相互作用明显不同于Ｚｒ（Ｈｆ）与Ｃ２８的相互作用,表现在原子的电子组态、成键特征和电子态分布等诸多方面．另外,结合能估算表明,这三种内裹配合物均能稳定存在,但Ｚｒ＠Ｃ２８和Ｈｆ＠Ｃ２８比Ｔｉ＠Ｃ２８稳定得多．对计算结果进行了分析讨论,并与相关文献的结果加以比较．     

M@C28(M=Ti,Zr,Hf)内裹配合物的电子结构及其稳定性

用B3-LYP赝势模型的密度泛函理论,对M@C₂₈(M=Ti,Zr,Hf)内裹配合物电子结构进行从头计算研究.计算包括确定稳定的几何结构参量的分子几何结构进行优化和自然键轨道分析.结果发现Ti与C₂₈基团的相互作用明显不同于Zr(Hf)与C₂₈的相互作用,表现在原子的电子组态、成键特征和电子态分布等诸多方面.另外,结合能估算表明,这三种内裹配合物均能稳定存在,但Zr@C₂₈和Hf@C₂₈比Ti@C     

用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性

介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△E_v。讨论了△E_v与界面状况和原子能级变化的相互关系,确定了生长有序的突变Si/GaP(Ⅲ)异质界面的条件,得到此时界面的价带不连续值为0.80eV。它与理论计算值基本一致。 关键词：     

AlxGa1-xAs(100)表面性质的研究

用紫外光电子能谱研究了Al_0.7Ga_0.3As的表面态结构,观察到Al_0.7Ga_0.3As在价带中的两个表面态结构。在1500L原子氢吸附后消失。研究了这两个表面态结构在热退火消除表面损伤过程中的变化。结合LEED和XPS的实验结果,确定在450℃左右的热退火可以有效地消除损伤,获得一个完整的Al_0.7Ga_0.3As(100)表面。 关键词：     

Al_xGa_(1-x)As(100)表面性质的研究

用紫外光电子能谱研究了Al_(0.7)Ga_(0.3)As的表面态结构,观察到Al_(0.7)Ga_(0.3)As在价带中的两个表面态结构。在1500L原子氢吸附后消失。研究了这两个表面态结构在热退火消除表面损伤过程中的变化。结合LEED和XPS的实验结果,确定在450℃左右的热退火可以有效地消除损伤,获得一个完整的Al_(0.7)Ga_(0.3)As(100)表面。