多色高分子薄膜电致发光器件

采用多层高分子发光层和电极层结构实现了在同一ITO基片上产生红、绿、蓝三基色发光。得到电压阈值分别为：蓝色：2．5V,绿色：2．5V,红色：1．8V;发光量子效率：蓝色：2．5％,绿色：1．7％,红色：1．2％：色度坐标分别为：蓝色：(0．16,0．16),绿色：(0．34,0．58),红色：(0．60,0．39)。这种多层薄膜结构可能成为实现高分子彩色发光显示的新途径。     

聚合物发光二极管中的负电容效应

采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly［2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene］)(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly［(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)］ (PF-NR₂)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性. 对于结构为ITO/P 关键词： 2')" href="#">PF-NR₂ 聚合物发光二极管 交流阻抗谱 负电容效应     

高分子发光二极管载流子注入过程研究

采用交流阻抗谱，电容-电压，电容-频率等实验方法，研究了共轭高分子MEH-PPV(poly［2-methoxy，5-(2-ethylhexoxy)-1，4-phenylene vinylene］)发光二极管的载流子注入过程.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/Al的发光器件，实验结果表明，电极界面是欧姆接触的，载流子的注入是非平衡的，器件薄膜中存在陷阱容易俘获注入电荷，形成空间电荷区，陷阱密度约为3.75×10¹⁶cm^-3. 关键词： 高分子发光二极管 交流阻抗谱 cole-cole图 载流子注入     

燃气轮机总能系统特性模拟与优化的新思路探讨

符号表a，b时间区限e如燃烧室效率土时间。fco压气机设计效率Gi（t）即时燃料量ti。设计进气温度efto透平设计效率H。燃料热值取。t全工况效率ef。机械效率Ne（t即时功率。压比efe发电效率风设计进气压力1前言对热力系统及其部件特性的研究，前人已作了很多工作，但多以设计工况下的机组的热力性能与经济性来考虑设计和应用选型等问题，由于种种变工况因素，在设计工况下，机组的热力性能参数匹配及其它性能指标可能处于优化区域，而实际运行中，却处于非最佳运行工况。鉴于上述分析，对装置除了解其设计工况的性能外，还必须对其变工况乃…     

Analysis of Intrinsic Degradation Mechanism in Organic Light-Emitting Diodes by Impedance Spectroscopy

The organic light-emitting diodes （OLEDs） in the sandwiched structures ITO/poly[3,4-ethylenedioxythiopene] （PEDOT） /poly[9,9-dioctylfluorene-co-4, 7-di-2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole] （PFO-DBT15） /Ba/A1 are fabricated We use impedance measurements to investigate the degradation of aged OLEDs. A detailed analysis of the impedance spectra as functions of frequency and dc bias yields information about the injection of the interracial electrode and the transport properties of emissive layer changes. Morphology differences between degraded and undegraded devices can also be observed by a scanning electron microscope. We perform comparative studies of the impedance spectroscopy （IS） of undegraded and degraded devices by both experiment and simulation approaches to explain the degradation mechanism for OLEDs. The IS of the undegraded device can be well understood by simply adopting the conventional RC equivalent circuits. For the degraded device, however, the successful model of the impedance spectroscopy results needs to take into account the more complicated situ- ations, and we adopt a constant phase element to meet the experimental and simulated data and discuss the reasons caused by the problem.     

温度对铁电体极化反转过程影响的细观力学分析

采用热力学和细观力学结合的方法,建立了考虑热、力和电影响的细观力学模型,对铁电体极化反转过程中温度对滞回曲线和矫顽场强的影响进行了研究.研究结果表明温度对滞回曲线形状和矫顽场强有显著影响,在四方相范围内,随着温度的升高,铁电体的滞回曲线变窄、变低,矫顽场强不断减小.