化学气相沉积法制备InSe纳米片及其近红外光探测性能

采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维InSe纳米片, 研究了生长温度对二维InSe纳米片晶相、 形貌、 尺寸及厚度的影响. 构筑了基于二维InSe纳米片的光探测器并研究了其光探测性能, 结果表明, 在808 nm的近红外光辐照下, 其光响应度为1.5 A/W, 外量子效率为230%, 可探测度为3.1×10 ⁸ Jones(1 Jones=1 cm·Hz ^1/2·W ^-1), 上升和衰减时间分别为0.5 和0.8 s.     

均值-标准差质控图在检测实验室质量控制中的应用

利用质控图中心线、上警戒限、下警戒限、上控制限、下控制限对测量数据进行监控。采用均值-标准差质控图界限内和界限外的数据点对检测过程进行监控和评估,可发现检验过程中人、机、料、法、环等出现的所有不符合项,从而消除所有不符合因素,保证测试结果的准确性。结果表明均值-标准差质控图可作为实验室质量控制的重要参考。     

Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响。结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强。随着氧压的增大和后续退火温度的升高,都会使饱和磁化强度(MS)呈先增大后减小的趋势。分析表明磁性的变化都与样品中的表面缺陷浓度有关。