AB_2型储氢材料表面吸氢的光电子谱研究

AB2 型金属间化合物是新型的储氢材料 ,对 Zr V2 和 Zr Mn2 表面吸氢前后进行了紫外光电子谱( UPS)测量 .吸氢前后的差谱中 ,发现 Zr V2 吸氢后 ,结合能在 8e V左右出现较宽的吸附氢诱导的光电子谱峰 ;而 Zr Mn2 吸氢后 ,在 5e V左右有一个明显的峰 .实验结果表明 :氢在 Zr V2 表面的吸附所成M—H键的电子态的结合能比 Zr Mn2 表面上的要大 ,与 Zr V2 吸氢能力较强是一致的     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

Electronic structure of Yb/H－Si (111) interface

Photoemission spectra are measured for Yb covered surface of wet-chemically-etched H－Si (111). The results reveal that the lattice structure of the H－Si (111) surface is stable against the deposition of Yb atoms. X-ray photoemission spectra indicate the formation of a polarized (dipole) surface layer, with the silicon negatively charged. Ultraviolet photoemission spectra exhibit the semiconducting property of the interface below one monolayer coverage. Work function variation during the formation of the Yb/H－Si (111) interface is measured by the secondary-electron cutoff in the ultraviolet photoemission spectral line. The largest decrease of work function is ～1.65eV. The contributions of the dipole surface layer and the band bending to the work function change are determined to be ～1.15eV and ～0.5eV, respectively. The work function of metal Yb is determined to be ～2.80±0.05eV.     

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜（STM）和x射线光电子能谱（XPS）研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式，Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长，而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长，到Ge层的厚度为20个单原子层，衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV，而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV，其相对位移约为01 eV. 关键词： Ge Ru表面 生长 相互作用     

Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

OPCOT在Ru(0001)表面上的紫外光电子能谱研究

采用紫外光电子能谱,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯(OPCOT)在金属Ru(0001)表面上的电子结构,以及它们之间的相互作用.位于费米能级以下43,69,93和114eV处的4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σCH和σHH轨道,位于30eV处的谱峰反映了8个苯环聚合后具有π轨道特性的C—C键.OPCOT材料的价带顶位于费米能级以下25eV处,OPCOT材料在Ru(0001)表面上的功函数为395eV.150℃以下,OPCOT材料可以在Ru(0001)表面稳定存在.随温度的升高,OPCOT材料主要以脱附的形式减少 关键词： 八芳基环辛四烯 光电子能谱 价电子结构 脱附     

NO在Cs／Ru（1010）表面上吸附的ARUPS研究

在１５０Ｋ的低温下，ＮＯ在清洁的Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，Ｈｅｌｌ－ＡＲＵＰＳ显示在Ｅ以下９．３ｅＶ（５σ＋１π）和１４．６ｅＶ（４σ）处有两个峰，表明ＮＯ在Ｒｕ（１０１０）表面上是分子吸附，ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ（１０１０）表面上的吸附，ＡＲＵＰＳ测得在Ｅ以下６．２，９．２，１１．１，１２．４和１４．９ｅＶ处有５个峰，和Ｎ２Ｏ气相的ＵＰＳ谱比较认定它们是Ｎ２Ｏ和ＮＯ共存的结果，表明ＮＯ在Ｃｓ／Ｒｕ     

Fe/Cu(110)表面CO吸附HREELS和ARUPS研究

Fe/Cu(110)表面CO吸附HREELS和ARUPS研究     

K/Ru(10ī0)表面上的CO-4a1轨道对称性确定

用同步辐射角分辨偏振紫外光电子谱对Ｋ／Ｒｕ（１０１０）面上吸附分子轨道的对称性测量发现：结合能在１１、．２ｅＶ的ＣＯ－４ａ１（４σ）分子轨道对ｓ偏振光（在沿〈１２１０〉的人射面）是禁戒的。结果表明由于Ｋ的强烈影响,ＣＯ的分子轨道重新排列（ｓＰ＾２杂化）。依据选择定则和分子轨道的对称性６说明,ｓｐ＾２再杂化的ＣＯ分子吸附的桥位取向是〈１２１０〉晶向。     

己烯在Ru(1010)表面价带电子特性研究

在200 K以下己烯（C6H12）可以在Ru()表面上以分子状态稳定吸附.偏振角分辨紫外光电子谱（ARUPS）结果表明,己烯分子在垂直于衬底表面并沿衬底表面<>晶向的平面内,己烯分子的轴向沿<>晶向倾斜.随着衬底温度的提高,到200 K以上,己烯分解生成新的碳氢化合物.己烯分解后,πCH分子轨道能级向高结合能方向移动了0.2 eV,同时己烯中C的1s能级向低结合能方向移动了 0.3 eV.