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采用热透镜测量方法进行了SiO2和HfO2单层膜的体吸收与界面吸收分离研究.首先推导了光从薄膜侧及基底侧入射时单层膜内的驻波场分布,给出了单一厚度薄膜分离体吸收和界面吸收的计算方程式以及求解薄膜消光系数的方法.利用电子束蒸发工艺制备了半波长光学厚度(λ=1064 nm)的SiO2和HfO2单层膜,通过热透镜的测量数据实际分离了两种薄膜的体吸收和界面总吸收.计算结果表明,对于吸收小至10-6关键词:
驻波场理论
光热技术
薄膜吸收
消光系数 相似文献
2.
采用电子束蒸发的方法制备了3种具有不同表面层材料及结构的中心波长为1 064 nm的零度高反镜,3种膜系表面层分别为1/4波长光学厚度的HfO2,1/2波长光学厚度的SiO2,以及1/4波长光学厚度的SiO2。光谱测试表明:三者在1 064 nm处均有较高的反射率(高于99.8%),利用热透镜的方法测量得到3个膜系辐照激光正入射情况下,薄膜对光的吸收比例分别为3.0×10-6,5.0×10-6和6.5×10-6,其损伤阈值分别为32.5,45.2和28.4 J/cm2。并在膜层内部电场分布和膜层材料物理特性的基础上分析了3种不同表面层膜系吸收和损伤阈值差别的原因。 相似文献
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