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1.
采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响。结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比。随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高。根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙。结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大。在相同的衬底温度下,35cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度。  相似文献   
2.
合成了稀土高氯酸盐-甘氨酸配合物晶体。经热重、差热、化学化析及有关文献对比,确定其组成是[Sm2(Gly)6(H2O)4](ClO4)6·5H2O,单晶结构,纯度是99.0%.熔点分析仪分析知其没有固定熔点,在79~370K温区,用高精密全自动绝热量仪对单晶配合物进行了热容测定,发现该配合物在低温段没有反常热容。348.07K附近是该配合物的分解温区,配合物的分解温度、分解熵和分解焓分别是346.89K,44.669kJ/mol和128.77J/K·mol。计算机拟合了热容对温度的多项式方程,在79~318K温区,Cp=1294.56+624.17K-11.893X^2+75.075X^3+23.762X^4.在常压,298.15K下用具有恒温环境的反应热量计测定了配合物的标准生成焓值为-8022.405kJ/mol。  相似文献   
3.
According to the density functional theory we systematically study the electronic structure, the mechanical prop- erties and the intrinsic hardness of Si2N2O polymorphs using the first-principles method. The elastic constants of four Si2N2O structures are obtained using the stress-strain method. The mechanical moduli (bulk modulus, Young’s mod- ulus, and shear modulus) are evaluated using the Voigt-Reuss-Hill approach. It is found that the tetragonal Si2N2O exhibits a larger mechanical modulus than the other phases. Some empirical methods are used to calculate the Vickers hardnesses of the Si2N2O structures. We further estimate the Vickers hardnesses of the four Si2N2O crystal structures, suggesting all Si2N2O phases are not the superhard compounds. The results imply that the tetragonal Si2N2O is the hardest phase. The hardness of tetragonal Si2N2O is 31.52 GPa which is close to values of β-Si3N4 and γ-Si3N4.  相似文献   
4.
由热重数据计算动力学参数   总被引:3,自引:0,他引:3  
热重法(TG)是一种动态测量技术,可在程序升温或降温情况下对给定物质或体系提供一个连续的,以温度或时间为函数的重量变化曲线,所以由它跟踪反应能给出反应动力学的有关信息。这种非等温法与早期使用的等温法相比,有快速、连续和需要较少实验数据等优点,近年来在动力学研究方面得到广泛应用,但还只限于研究下列几种类型的简单  相似文献   
5.
According to the density functional theory we systematically study the electronic structure, the mechanical prop- erties and the intrinsic hardness of Si2N2O polymorphs using the first-principles method. The elastic constants of four Si2N2O structures are obtained using the stress-strain method. The mechanical moduli (bulk modulus, Young’s mod-ulus, and shear modulus) are evaluated using the Voigt-Reuss-Hill approach. It is found that the tetragonal Si2N2O exhibits a larger mechanical modulus than the other phases. Some empirical methods are used to calculate the Vickers hardnesses of the Si2N2O structures. We further estimate the Vickers hardnesses of the four Si2N2O crystal structures, suggesting all Si2N2O phases are not the superhard compounds. The results imply that the tetragonal Si2N2O is the hardest phase. The hardness of tetragonal Si2N2O is 31.52 GPa which is close to values of β-Si3N4 and γ-Si3N4.  相似文献   
6.
采用电子束蒸发法制备PbI2多晶膜,研究了制备条件对沉积速率和晶体结构的影响。结果表明,源-衬间距和衬底温度对沉积速率的影响不具单调性,沉积速率随源-衬间距增大、衬底温度升高呈波动起伏。不同条件下制备的PbI2膜均属六方结构,但结晶质量和择优生长晶面存在差异。实验发现,随着膜层厚度增大,样品的结晶质量提高,当膜厚超出某一临界值,其结晶质量出现明显的下降。同时,随着衬底温度升高,PbI2膜的择优生长方向由80℃的(110)晶面转变为120℃的(001)晶面,且高级次(002)、(003)、(004)晶面的衍射峰逐渐增强,样品的c轴择优取向生长更加明显。综合以上,在电子枪束流25mA、电压6.5kV,源-衬间距30cm、衬底温度160℃的条件下,采用电子束蒸发制备的PbI多晶膜具有最佳的结晶性能。  相似文献   
7.
8.
丁迎春  陈敏  高秀英  蒋孟衡 《中国物理 B》2012,21(6):67101-067101
According to the density functional theory we systematically study the electronic structure, the mechanical prop- erties and the intrinsic hardness of Si2N2O polymorphs using the first-principles method. The elastic constants of four Si2N2O structures are obtained using the stress-strain method. The mechanical moduli (bulk modulus, Young’s mod- ulus, and shear modulus) are evaluated using the Voigt-Reuss-Hill approach. It is found that the tetragonal Si2N2O exhibits a larger mechanical modulus than the other phases. Some empirical methods are used to calculate the Vickers hardnesses of the Si2N2O structures. We further estimate the Vickers hardnesses of the four Si2N2O crystal structures, suggesting all Si2N2O phases are not the superhard compounds. The results imply that the tetragonal Si2N2O is the hardest phase. The hardness of tetragonal Si2N2O is 31.52 GPa which is close to values of β-Si3N4 and γ-Si3N4.  相似文献   
9.
毫米级厚度碘化铅(PbI2)膜是制造下一代阵列高能辐射探测器的关键材料。采用近空间升华法制备了PbI2厚膜,研究升华源温度对制备样品晶体结构、表面形貌及光谱性质的影响。结果表明,随着源温度的升高,样品厚度由1 000μm下降到220μm。X射线衍射测试表明,厚膜为沿(002)晶面择优取向生长的六方相多晶结构,其晶粒尺寸、位错密度及生长应力与源温度密切相关。扫描电子显微镜测试显示,样品由六方片状颗粒堆积而成,其颗粒直径约为248μm,厚约32.7μm,有明显的层状结构。解谱拟合发现,样品的拉曼光谱有147,169,217和210cm-1等4个散射峰,前三个峰对应于4H晶型PbI2晶体的纵光学波振动模式,210cm-1来源于衬底SnO2的相关振动模式。随源温度的升高,147cm-1拉曼峰有明显变化,其峰强高于225℃时出现大幅度的下降,峰形展宽。在340nm光激发下,样品的室温光致发光谱在2.25,2.57和2.64eV附近出现弱的发光峰,来源于与缺陷和激子相关的复合。综合结构表征与光谱测试结果,200℃时沉积的PbI2厚膜具有最佳的结晶质量,其厚度约为659μm。  相似文献   
10.
对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究.结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部.据此,设计出特殊结构的石英生长安瓿,采用垂直Bridgman法生长出尺寸为10 mm×20 mm、完整性好的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H结构,P3ml空间群,EDX分析结果表明沉积于籽晶袋球泡中的Pb含量为100 at%,晶体生长实验的结果与Pb-I系统的相变分析一致.  相似文献   
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