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运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式掺杂钒(V)的闪锌矿(ZnS)的超晶胞电子结构进行了计算。研究了ZnS掺杂的光学性质及其电子结构,通过分析发现,光吸收的计算结果与运用配位场理论得到的计算结果以及实验数据符合较好;同时还对引入杂质前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析:因为杂质V的引入,态密度出现了几个新的峰,并且本体能带向低能方向偏移了大约2.5 eV,V所带正电荷为0.28,比任何一类Zn原子都要小,S—V键的共价性最强、键长最短。 相似文献
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采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对α-A12O3(0001)表面A1,O原子空位缺陷及其对ZnO吸附进行了理论计算.电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域,悬挂键临近O的电子密度增大,有利于对Zn的吸附;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子,其ELF值为0.05-0.3,将有利于同电负性较大的O或O^2-结合.通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现,表面缺陷显著增强了表面的化学吸附,空缺原子处都被吸附原子填补,吸附结合能远大于单晶表面的情况.在Al空缺的表面,由于ZnO的O与表面O形成双键,破坏了α-Al2O3(0001)表面O六角对称结构,减小了O的表面扩散,从而不利于规则的ZnO薄膜生长.相反,O的空缺表面,弥补了α-Al2O3(0001)表面O空位缺陷,不影响基片表面O六角对称结构. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对α-Al2O3(0001)表面 Al,O原子空位缺陷及其对ZnO吸附进行了理论计算.电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域,悬挂键临近O的电子密度增大,有利于对Zn的吸附;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子,其ELF值为005—03,将有利于同电负性较大的O或O2-结合.通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现,表面缺陷显著增强了表面 的化学吸附,空缺原子处都被吸附原子填补,吸附结合能远大于单晶表面的情况.在Al空缺的表面,由于ZnO的O与表面O形成双键,破坏了α-Al2O3(0001)表面O六 角对称结构,减小了 O的表面扩散,从而不利于规则的ZnO薄膜生长.相反,O的空缺表面,弥补了α-Al2O3(0001)表面O空位缺陷,不影响基片表面O六角对称结构. 相似文献
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第七届全国凝聚态光学性质学术会议简讯由中国物理学会主办,南开大学、天津理工学院、四川师范大学联合承办,四川师范大学固体物理研究所和四川省物理学会固体物理专业委员会具体筹办的第七届全国凝聚态光学性质学术会议于1994年8月21日在四川省成都市四川师范大... 相似文献
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