退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg2Si薄膜的影响

采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备 Mg2Si 薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg 薄膜，冷却至室温后原位退火4 h，制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品。通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征， 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间对制备 Mg2Si 薄膜的影响。结果表明，采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜， 通过原位退火方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜，溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min，退火温度为550 ℃ 时，制备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好，连续性和致密性最强。这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考。 积两层Si、Mg 薄膜, 冷却至室温后原位退火4 h, 制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品. 通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描 电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间 对制备 Mg2Si 薄膜的影响. 结果表明, 采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火 方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜, 溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min, 退火温度为550 ℃ 时, 制 备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好, 连续性和致密性最强. 这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考.     

希托夫法测定离子迁移数实验的教学改革研究

希托夫法是物理化学实验中测定离子迁移数的传统方法。在教学实践中发现,传统实验装置及操作方法易因待测溶液对流、扩散或人为操作失误等问题导致测定的离子迁移数不准确,因此有必要改进该实验的装置和操作方法。本文提出通过调整测量装置中U型迁移管的玻璃活塞数量,改进装液、溶液收集、滴定操作等实验步骤,降低实验操作难度,增加同批样品的滴定分析次数,提高实验结果的准确性。同时减少近70%的废液产生量,降低了教学成本,减少了环境污染。本研究能够激发学生的实验研究创新意识,促其建立污染物减排的环保观念。     

Mo掺杂Mn4Si7的光电性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,计算了Mn4Si7及Mo掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn4 Si7的禁带宽度Eg=0.804 eV,Mo掺杂Mn4Si7的禁带宽度Eg=0.636 eV.掺杂使得Mn4 Si7费米面附近的电子结构发生改变,导带底由Γ点转移为Y点向低能方向下偏移,价带顶向高能方向上偏移,带隙变窄.计算还表明Mo掺杂Mn4Si7使介电函数、折射率、吸收系数及光电导率等光学性质增加.     

PEG1000—CBP~*色谱柱分离有机氯农药的研究

键合固定相是一种新型气相色谱固定相。山西煤化所曾用SE-30改性的PEG20M-CBP分离了有机氯农药,可是按文献制备的PEG20M-CBP成功率低。作者研制成功了PEG1000—CBP,这种键合相经OV-17改性后,在24分钟内能有效地分离有机氯农药,其灵敏度、分离情况较     

Evolution of defects and deformation mechanisms in different tensile directions of solidified lamellar Ti-Al alloy

Two-phase γ-TiAl/α₂-Ti₃Al lamellar intermetallics have attracted considerable attention because of their excellent strength and plasticity. However, the exact deformation mechanisms remain to be investigated. In this paper, a solidified lamellar Ti-Al alloy with lamellar orientation at 0°, 17°, and 73° with respect to the loading direction was stretched by utilizing molecular dynamics (MD) simulations. The results show that the mechanical properties of the sample are considerably influenced by solidified defects and tensile directions. The structure deformation and fracture were primarily attributed to an intrinsic stacking fault (ISF) accompanied by the nucleated Shockley dislocation, and the adjacent extrinsic stacking fault (ESF) and ISF formed by solidification tend to form large HCP structures during the tensile process loading at 73°. Moreover, cleavage cracking easily occurs on the γ/α₂ interface under tensile deformation. The fracture loading mechanism at 17° is grain boundary slide whereas, at 73° and 0°, the dislocation piles up to form a dislocation junction.     

Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱中的本征能级E_n, 并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律. 计算结果表明: 在In 组分恒定的情况下, 随着N组分的增加, 散射率和平均散射率增加; 在N组分恒定的情况下, 随着In组分的增加, 散射率和平均散射率减小; 随着温度的增加, 在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大, 在温度较高时随温度的增加而增加; 随着阱宽的增加, 散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值, 然后再减小, 最大值出现在阱宽200 Å附近. 计算结果对Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义. 关键词： 费米黄金规则 1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱')" href="#">Ga_1-xIn_xN_yAs_1-y/GaAs量子阱 LO声子 散射率     

GC-MS技术在舰船复合板毒性评价中的应用

海军舰船舱室多为密闭环境,其舱室狭小,设备庞杂,人员密集。舱室内部的防护装饰多系非金属材料,随着现代各种复合、聚合材料的迅速发展和广泛使用,周围环境特别是密闭舱室空气污染的问题也更为突出。本文根据有关军用标准和规程[1],应用GC-MS技术对2种舰船复合板常温释放物和高     

基于支持向量机、支持向量回归和分子对接的CYP450 1A2抑制剂的发现研究

支持向量机,支持向量回归和分子对接的计算方法已广泛应用于化合物的药理活性计算。为了提高计算的准确性和可靠性,拟以细胞色素P450酶1A2为研究载体,运用建立的联合SVM-SVR-Docking计算模型预测潜在的CYP1A2抑制剂。其中,建立的最优SVM定性模型训练集,内部测试集和外部测试集的准确率分别为99.432%,97.727%和91.667%。最优SVR定量模型训练集和测试集的R和MSE分别为0.763,0.013和0.753,0.056。实验表明两个模型具有较高的准确性和可靠性。通过对SVM和SVR模型结果的比较分析,发现连接性指数、分子构成描述符和官能团数目等分子描述符可能与CYP1A2抑制剂的辨识和活性预测密切相关。随后利用分子对接技术分析化合物与CYP1A2的结合构象及相互作用的稳定性。形成氢键相互作用的关键氨基酸包括THR124,ASP320;形成疏水相互作用的关键氨基酸包括ALA317和GLY316。所获得模型可用于天然产物化学成分中CYP1A2潜在抑制剂的活性计算及其介导的药物-药物相互作用预测提供理论指导,也为合理联合用药提供一定参考。共获得20个对CYP1A2具有潜在抑制活性的化合物。部分结果与文献结果相互印证,进一步说明了模型的准确性和联合计算策略的可靠性.     

GC-MS技术在舰船胶粘材料毒性评价中的应用

胶粘材料简称胶粘剂、粘合剂、粘结剂、接着剂。因其能把各种材料紧密地粘合在一起,并具有各种良好的性能,因而广泛地应用于海军舰船的制造及维修中。应用GC-MS技术对在使用环境及条件下其释放物及高温热解物的定性分析是对其进行使用过程中毒性评价的重要步骤。1实验部分1.1仪器与材料仪器:JMS-D300(日本JEOL);PIATFORMⅡGC-MS。     

关于“一类非奇异H-矩阵判定的新条件”一文的注记

通过构造新的正对角因子元素，本文给出了几个判定非奇异H-矩阵新的充分条件，改进和推广了"一类非奇异H-矩阵判定的新条件"一文的主要结果，并用数值例子说明了文中结果判定范围的更加广泛性.