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在研制硅光敏器件的十多年中,我们注意到两点:一是硅光敏器件的成品率不够高;二是无法用它们探测微弱的光,即它们的信噪比较小.这两点是由同一原因引起的,那就是它们的暗电流偏大. 结型光敏器件的原理是基于描述p-n结光电特性的位移近似公式[1]:式中IL 为输出的信号电流,I.c为p-n结的短路电流,Ic是p-n结的反向饱和电流,V为加在p-n结上的电压(光生电压或外加的电压),q为电量,k为玻耳兹曼常数,T为温度.光敏二极管(用于光伏效应器件时除外)、光敏三极管和达林顿光敏管都是使接受入射光的p-n结(以下简称为受光p-n结)处于反向偏压下工作,即V《… 相似文献
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提出了一种用硅双结型色敏器件测量色温的方法.在合理的测控电路下,硅双结型色敏器件的电流对数比与实验灯泡的色温值呈良好的单值对应,经单片机处理后可以得到分段线性关系.通过对电流对数比与波长随线的数据拟合,结果表明,用硅双结型色敏器件测量色温,其测量温度可以到10^4K以上,精度可以达到10K.本文的方法与传统方法相比减少了工作量,降低了费用,具有通用性和实用价值. 相似文献
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硅色敏器件对复色光色差辨识能力的数值分析 总被引:3,自引:2,他引:1
对复色光的光谱功率分布和色敏器件光谱响应的实验曲线进行了函数拟合,采用Mathematica 4.2计算了具有不同峰值波长和半高宽的高斯分布的复色光在色敏器件中产生的电流比.计算结果表明,待测复色光的峰值波长和半高宽变化对两种典型的色敏器件的输出信号影响的权重比分别为100:1和10:1。权重比说明色敏器件的输出电流比随峰值波长和半高宽的变化非常灵敏,但两者权重不同,其中峰值波长的变化影响更为显著,是影响复色光颜色变化的主要因素.数值分析的结果表明,硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力.两种器件权重比的差异说明了器件制作工艺与其辨识能力的关系,为器件合理设计提供了理论依据. 相似文献
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PIN光电二极管在PET中应用的可行性 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了正电子发射层析照相(PET)探测器系统所存在的空间分辨率和时间分辨率低的问题,通过采用双面入射和侧面读出技术,提高了PIN光电二极管的量子效率和能量分辨率,增加了可用光的收集,分析结果表明,经过优化设计的PIN光电二极管及外围配置,与现行PET探测器系统中的光电倍增管相比,具有更高的分辨率和更好的性能价格比。 相似文献
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稀土元素在我国有丰富的贮量.近年来,稀土元素在各种新科技领域中得到不断的开发和利用.各类稀土功能材料在发光和光通信领域中正展现巨大的应用潜力[1].稀土磁光薄膜材料是优良的记录介质;稀土Er由于其特殊的电子结构,已用来制造掺铒光纤激光器和光纤放大器[2];掺铒硅还可制造发光谱线单一的发光器件[3],这为实现人们所期待的硅基光电集成提供了有益途径.此外,基于对掺铒硅荧光发射衰减时间的分析,可用于制造温度传感器[4].因此,稀土在共价半导体材料如Si、GaAs中的行为研究日益受到重视.但这些工作主要… 相似文献
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实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时,开路电压Voc存在异常现象,在一定强度的光照下Voc出现峰值,随后Voc随入射光强的上升而下降。本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析,认为该现象的产生是由于在金属与半导体之间形成了整流接触,这也是导致器件响应度下降的重要原因。 相似文献
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完成了对目前光电转换效率最高的商品单晶硅太阳电池的结构分析,并结合其结构特点得到了影响转换效率的关键因素.完成了全背电极太阳电池的版图设计,采用高少子寿命硅材料,进行了多项工艺实验,发现绒面制作前的硅片表面预处理条件对短路电流值有重要影响,预处理时间的不同造成短路电流值有显著差别. 相似文献
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系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象.在对这些实验现象综合分析的基础之上,提出了一种由一横向PNPN四重结构与一纵向NPN管相互作用所产生的负阻效应的新模型.利用负阻峰域载流子特殊的输运机制,设计和研制出了上升、下降时间均为2ns左右,内部电流增益大于30倍的硅光电探测单元器件. 相似文献
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提出了一种用硅双结色敏器件自动测量光波长和功率时精确修正功率误差的方法.根据两个结的光谱响应曲线,利用补偿算法确定各个波长下每个结的短路电流在光功率计算中的权重;并利用两个结的电流比计算光的波长,根据波长确定的响应度、权重和短路电流,最后算出光功率.整个数据拟合、计算过程均用Mathematica4软件进行,数值分析的结果表明利用补偿算法可以使光功率测量的误差降低1%~5%,并使误差在光谱两端减少发散。 相似文献