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1.
本文通过微波辅助的方法,快速而有效地在热膨胀石墨烯(RG)的缺陷上原位合成氧化镍纳米颗粒,形成石墨烯/氧化镍复合材料(RG/NiO)。利用X-射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman),傅里叶变换红外(FTIR),扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),热重-差热(TGA-DSC)对所制备样品的结构、形貌和NiO含量在复合材料中的含量进行表征。结果表明,热膨胀石墨烯层数约7~8层,层间距约为0.35nm,缺陷多,在水热和微波处理后抗氧化性明显变差。复合材料中氧化镍颗粒平均粒径为25nm,均匀而密集地分散在石墨烯平面上,同时在复合材料中的含量为19.8%。  相似文献   
2.
以微米级二氧化钛(P25)为原料,用水热法制备了一维纳米钛酸材料,分析了纳米钛酸的形貌、红外特性和晶体结构。并进一步对纳米钛酸作为太阳光反射涂料填料的效果进行了研究,其涂层在可见光波段(380~780 nm)范围平均反射率可达到76.15%,在红外波段(780~2500 nm)范围平均反射率可达47.34%。  相似文献   
3.
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积设备(PE-HF-CVD),以CH4、H2和N2为反应气体.在较低衬底温度下(500℃),用简单的催化剂制备方法--旋涂法在硅片上涂覆Ni(NO3)2溶液,经热处理及H2还原后的Ni颗粒为催化剂,在硅衬底上制备出了垂直于硅片且定向生长的碳纳米管薄膜.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果显示,1 mol/l的硝酸镍溶液旋涂硅片所得催化剂制得的碳纳米管管径为30~50 nm,长度超过4μm,定向性好.并用拉曼光谱(Raman)对不同摩尔浓度Ni(NO3)2溶液条件下制备的碳纳米管薄膜样品进行了表征.  相似文献   
4.
采用阳极氧化法在草酸溶液中制备了孔径约为100nm的多孔氧化铝(AAO)模板。利用此模板在不负载任何催化剂的条件下,利用热CVD装置制备出片状碳纳米薄膜,并对此片状薄膜做了SEM,TEM显微观察和EDS能谱分析,对其形成条件和生长机理等方面做了探讨分析,为在氧化铝模板上生长包括管状、片状、棒状等形状的碳纳米材料提供了一定的借鉴意义。  相似文献   
5.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。  相似文献   
6.
球磨辅助氧化还原法制备石墨烯   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用天然石墨作为原材料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨(GO)。首先将氧化石墨在低能球磨机中球磨10 h,然后超声剥离得到氧化石墨烯。最后利用水合肼作为还原剂,通过磁力搅拌回流反应得到石墨烯。利用SEM,AFM,XRD,Raman,FTIR,TEM对所制备的石墨烯的形貌和结构进行表征。同时将经低能球磨制备的石墨烯与未经低能球磨制备的石墨烯进行比较,分析了在不同工艺条件下制备的石墨烯的效果。结果表明低能球磨有利于减薄氧化石墨,促进氧化石墨的剥离。并且有利于氧化石墨的还原,从而缩短回流还原反应时间,提高了制备石墨烯的效率。  相似文献   
7.
以硅溶胶为硅源.水热法制备NiO/SiO2催化剂,用于化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD法)制备碳纳米管通过SEM表征,研究了催化剂原料及其配比,水热制备工艺条件对催化效果的影响.结果表明:用硅溶胶可替代正硅酸乙酯作为硅源;制备的最佳条件为:MSiO2:MNi(NO3)2=1:12~1:14,水热温度为180~200℃,压力为1.2~1.5MPa.保温时间为0.5~2h.  相似文献   
8.
讨论了在室温下用波长10.6μm的CO2连续激光制备单壁碳纳米管的工艺条件和生长机理.用大功率CO2连续激光蒸发制备单壁碳纳米管,所用激光功率400—900W,高分辨透射电镜观察表明单壁碳纳米管直径1.1—16nm,随着激光功率的增加稍微增加.本文还分别用波长为514.5nm和632.8nm激发光测量了CO2红外激光制备的单壁碳纳米管的一级和二级Raman光谱,发现在Raman特征峰的位置、强度上都存在差异.还将用CO2红外激光制备的单壁碳纳米管的Raman光谱与用YAG激光制备的单壁碳纳米管的Raman光谱进行了比较. 关键词: 单壁碳纳米管 CO2连续激光 Raman光谱  相似文献   
9.
用微米级LaNi5合金粉末为催化剂, 以乙炔为原料, 采用化学气相沉积(CVD)法合成了多壁碳纳米管. 在100~290 K温度下测量了41 μm≤d≤150 μm粒径催化剂制备的不同直径分布的碳纳米管的电子自旋共振(ESR)谱,研究了测量温度、微米级催化剂粒径及制备过程的氢气氛对生成的碳纳米管的ESR谱线型、g因子、线宽的影响. 发现碳纳米管的g因子随其直径的增大而增大,分别为2.040 0(催化剂粒径41 μm≤d≤50 μm, 碳纳米管的直径分布为10 nm到20 nm)和2.089 8(催化剂粒径100 μm≤d≤150 μm,碳纳米管的直径分布为70 nm到120 nm). 发现小管径纳米管的ESR谱图有一个峰, 而大管径纳米管的ESR谱图有两个峰A和B, 且随测量温度的升高, 峰B强度增大.  相似文献   
10.
用微米级SiO2、Si和碳黑混合粉末为原料,以氮气为反应气,采用碳热还原法合成了氮化硅纳米粉体。测量了300—1273K退火温度下纳米氮化硅的电子自旋共振(ESR)谱,研究了测量温度、纳米氮化硅退火温度对ESR谱线型、g因子、线宽的影响。结果证实退火影响纳米复、化硅的磁性。  相似文献   
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