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1.
余罡  董显林  王根水  陈学锋  曹菲 《物理学报》2010,59(12):8890-8896
在正弦电场E=E0sin(2πft)加载下,通过改变电场E0(5—55kV/cm)和频率f(0.1—100Hz),测量了37BiScO3-63PbTiO3铁电陶瓷材料的电滞回线.数据拟合结果表明:在低电场和高电场阶段,剩余极化强度Pr的对数和矫顽场强Ec的对数都与电场强度E0的对数存在线性关系,而介于高电场与低电场之间则无线性关系存在,这种三阶段行为有别于现有的两阶段行为.这可归结于铁电陶瓷在不同的电场作用下铁电极化机理的不同.  相似文献   
2.
脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
陈学锋  李华梅  李东杰  曹菲  董显林 《物理学报》2008,57(11):7298-7304
采用低锆区的Pb(Zr0.42Sn0.40Ti0.18)O3(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基, 通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr, Sn, Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷, 其最大极化强度Pmax≈20.66μC/cm2, 剩余极化强度Pr≈0.55μC/cm关键词: 细电滞回线 铁电陶瓷 PZST 脉冲电容器  相似文献   
3.
制备了四种不同孔隙率的Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷,并研究了冲击波作用下孔隙率对陶瓷去极化性能的影响.研究表明:短路负载条件下陶瓷的放电波形不随孔隙的加入而改变,均为方波.多孔陶瓷的放电脉冲幅度较低,脉冲宽度较长.释放的电荷量随着孔隙率的增加而减小,与静态电滞回线测试结果一致.多孔陶瓷具有较低的冲击阻抗,改善了与封装介质的阻抗匹配.用Lysne模型拟合了材料在高电阻负载条件下的放电行为,并指出高电阻负载条件下材料的介电常数是静态介电常数的4—5倍,而且材料的介电常数随孔隙率的增加而减小.冲击波通过样品以后,电路的放电时间常数随着孔隙率的增大而增大.随着电阻的增大,样品负载电压增高,材料铁电-反铁电相变受到抑制,电流上升沿变缓,致密陶瓷出现了击穿现象.  相似文献   
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