用边界元法分析有摩擦弹性接触问题的一个新方法

本文提出了用边界元法分析有摩擦弹性接触问题的一个新方法,即边界元混合法。该方法是用边界元法先求出接触边界的接触内力的影响系数矩阵,再由接触边界的连续性条件求解接触内力,将接触面上的几何非线性转化到局部求解,使接触迭代的计算量大大降低。通过实例,将求出的计算结果同理论解以及其它数值方法的结果进行了比较,表明该方法是非常有效的。     

自发有序Ga0.5In0.5P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ga_0.5In_0.5P合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用Γ-Ｌ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的Γ-Ｌ相互作用势分别为０.１９，０.１５和０.１０ｅＶ．表明在自发有序Ga_0.5In_0.5P合金中存在着的     

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。     

InP的MOVPE生长

我们利用自制的常压MOVPE设备和国产的三甲基钢以及进口的磷烷生长了InP外延材料,其77K迂移率为65300cm²/V·s,据我们所知这是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值。     

在GaN生长初期形貌发展的观察

报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化.形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段.利用原子力显微镜有数字化记录的特点,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合.通过与形貌特征的对比,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌,可以用多峰高斯分布拟和;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜,可以用单峰高斯分布拟和.     

MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑

本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用摩尔量来计算的.我们计算了在不同生长条件下,与GaN晶格匹配的富Ga的GaxAlyIn1-x-yN合金组分和输入的Ⅲ族金属有机化合物摩尔比之间的关系.计算结果表明Al和Ga优先于In进入固相.为了增加固相的In含量应适当降低生长温度、使用氮载气、提高输入反应管的金属有机化合物的分压、采用高V/Ⅲ比值和降低氨分解率.     

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×10¹⁰/cm²。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性---超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。     

GaN的声表面波特性研究

采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用等叉指结构，叉指的数目为40对，叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度，并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度（ν)为5667m／s，机电耦合系数(κ^2)为1．9％。     

自发有序Ga_(0－5)In_(0－5)P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用ΓＬ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的ΓＬ相互作用势分别为０１９，０１５和０１０ｅＶ．表明在自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金中存在着的沿［１１１］方向的有序是带隙能量降低的主要原因．在样品Ｃ中还观察到了明显的ΓＸ反交叉行为．拟合得到的ΓＸ相互作用势为００１１ｅＶ，比ΓＬ相互作用势小一个数量级．表明在此样品中除［１１１］有序外还存在弱的［００１］有序