AZO(ZnO:A1)电子结构与光学性质的第一性原理计算

计算了不同Al掺杂浓度下ZnO体系电子结构和光学属性.分析了掺杂对AZO(ZnO:A1)晶体结构、能带、态密度、光学性质的影响.所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一原理平面波赝势方法.计算结果表明:Al掺杂ZnO在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子,明显提高了体系的电导率.费米能级进入导带.同时,光学性质的计算表明光学带隙明显展宽,且向低能方向漂移;AZO透明导电材料的光学透过率在可见光范围内高达85%,紫外吸收限随着掺杂浓度的增加而发生蓝移.所有计算表明AzO材料可作为优良的透明导电薄膜材料.     

In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法, 计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数, 系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系. 利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱, 根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性. 研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%, 可作为优异的透明导电薄膜材料. 同时, 计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据, 也为监测和控制这一类透明导电材料的生长过程提供了可能性.     

In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱,根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性.研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%,可作为优异的透明导电薄膜材料.同时,计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制这一类透明导电材料的生长过程提供了可能性.     

PbxSr1-xTiO3的电子结构

在广义梯度近似下, 采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法, 计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTiO3(PST)固溶体的精细结构, 确定了A位离子在铁电相的平衡构型. 利用虚拟晶体近似方法分别计算了摩尔比x为0.6、0.7的PbxSr1-xTiO3精细结构. 结果表明, 在钛酸锶铅固溶体中, 随着Pb的摩尔比增大, 晶胞体积膨胀, c/a值增大. 当0.6相似文献   

ZnO-SnO2透明导电薄膜的制备及性能研究

采用二步成胶工艺制备ZnO-SnO₂透明导电薄膜,应用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计、薄膜分析仪及四探针仪等对薄膜的结构、表面微观形貌、透过率和导电性能进行表征.结果表明,锌锡摩尔比为9/12,退火温度为500 ℃时,薄膜的透过率达90%,电阻率为3.15×10-3 Ω·cm.与其它工艺相比,二步成胶工艺所制备出的ZnO-SnO₂透明导电薄膜性能优异.     

First-principles study of the electronic and optical properties of ZnO nanowires

The geometric, energetic, electronic structures and optical properties of ZnO nanowires (NWs) with hexagonal cross sections are investigated by using the first-principles calculation of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology based on the density functional theory (DFT). The calculated results reveal that the initial Zn-O double layers merge into single layers after structural relaxations, the band gap and binding energies decrease with the increase of the ZnO nanowire size. Those properties show great dimension and size dependence. It is also found that the dielectric functions of ZnO NWs have different peaks with respect to light polarization,and the peaks of ZnO NWs exhibit a significant blueshift in comparison with those of bulk ZnO. Our results gives some reference to the thorough understanding of optical properties of ZnO, and also enables more precise monitoring and controlling during the growth of ZnO materials to be possible.     

PbxSr1-xTiO3的电子结构

在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法,计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTi03(PST)固溶体的精细结构,确定了A位离子在铁电相的平衡构型.利用虚拟晶体近似方法分别计算了摩尔比x为0.6、0.7的Pb1-xSr1-xTiO3精细结构.结果表明,在钛酸锶铅固溶体中,随着Pb的摩尔比增大,晶胞体积膨胀,c/a 值增大.当0.6相似文献   

GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶，再甩胶于Si(111) 衬底上，在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射（XRD）分析及选区衍射分析（SAED）表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜；XPS分析其表面，结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在，且Ga：N约为1：1；PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.