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1.
采用低压等离子体聚合技术,通过调整工作气压和反式二丁烯(T2B)与H2流量比制备了辉光放电聚合物(GDP)涂层. 利用傅里叶变换红外吸收光谱和元素分析法讨论了工作气压和T2B与H2流量比对GDP涂层内部H原子含量及结构的影响,并且通过纳米压痕技术对GDP涂层的硬度及杨氏模量进行了表征.研究结果表明:降低工作气压和T2B与H2流量比,GDP涂层内sp3 C
关键词:
傅里叶变换红外光谱
纳米压痕
杨氏模量
硬度 相似文献
2.
采用辉光放电聚合技术,在不同工作压强条件下在直径为350—400 μm,厚度为2.5—3 μm的玻璃微球上制备了辉光放电聚合物 (GDP)涂层,并对玻璃/GDP微球模拟充气过程进行了热稳定性实验.利用傅里叶变换红外光谱仪、元素分析仪、热重法、体视显微镜和X射线照相技术对GDP涂层的内部结构及其化学键、热稳定性、微球形貌和厚度进行了表征.结果表明:GDP涂层中的碳氢比、不饱和键和C C含量随着制备压强的增大而减小,低压的热稳定性较好,GDP涂层与玻璃微球的结合力提高,流变、起泡和脱层现象也得到明显改善.微球
关键词:
玻璃微球
GDP涂层
热稳定性
结合力 相似文献
3.
采用等离子体辉光放电聚合技术,在不同四甲基硅烷(TMS)流量条件下制备了硅掺杂辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜,采用傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱和热重(TG)分析技术分析了不同TMS流量对Si-GDP薄膜结构与热稳定性的影响.结果表明:随着TMS流量在0–0.06 cm3/min范围变化,Si-GDP薄膜中Si的原子含量CSi为0–16.62%;含Si红外吸收峰的相对强度随TMS流量的增加而明显增大;Si-GDP薄膜的TG分析显示,温度在300 ℃时,随TMS流量的增加,Si-GDP薄膜的失重减少,热稳定性增强.
关键词:
硅掺杂辉光放电聚合物薄膜
X射线光电子能谱
热稳定性 相似文献
4.
采用辉光放电聚合技术,在不同工作压强条件下制备了掺硅的辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜.并采用傅里叶变换红外吸收光谱和X射线光电子能谱(XPS)对Si-GDP薄膜进行了表征,分析了压强变化对其内部结构及成分的影响.利用紫外—可见光谱对Si-GDP薄膜的光学带隙进行了分析.结果表明:Si-GDP薄膜中Si元素主要以Si—C,Si—H,Si—O,Si—CH3的键合形式存在;随着工作压强的增大,薄膜中Si—C键相对含量先减小后增加;从Si-GDP薄膜的XPS分析可以发现,C—C与C C含
关键词:
硅掺杂辉光放电聚合物薄膜
工作压强
傅里叶变换红外吸收光谱
X射线光电子能谱 相似文献
5.
采用辉光放电技术,利用三倍频射频电源制备了不同功率下的辉光放电聚合物(GDP)涂层.并对GDP涂层进行了傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和元素分析仪表征,讨论了功率变化对其内部结构的影响.利用热重法(TG)表征了GDP涂层在30—650 ℃范围内的热稳定性.结果表明:随着射频功率的提高,GDP涂层的沉积速率增大;SP3CH3和联结甲基的乙烯基强度明显减小,SP3CH2, SP2CH2
关键词:
GDP涂层
红外吸收谱
热稳定性
射频功率 相似文献
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