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1.
在室温下750MeV氩离子对本征单晶硅进行辐照,通过用正电子湮没寿命测量技术、电子顺磁共振技术以及红外光吸收方法研究了辐照产生的缺陷.结果表明:电中性双空位是辐照产生的主要空位团;在4.3×1014ions/cm2的高剂量下未见样品发生非晶化转变;虽然在离子射程末端双空位的浓度随剂量的增加而显著增大,但在以电离激发过程为主要能损方式的区域里双空位的浓度基本不变.据此可以认为,电子能损过程对辐照产生的缺陷有退人作用.  相似文献   
2.
利用能量为2.0GeV的136Xe和2.7GeV的238U离子对C60薄膜进行了辐照,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C60样品,在傅立叶变换红外光谱上,首次观察到一个位于670cm-1处的,表征未知结构的新峰,研究了其强度随电子能损和辐照剂量的变化规律.分析结果表明,电子能量转移主导了C60薄膜的损伤过程;而损伤的部分恢复是由强电子激发的退火效应引起的;另外,离子的速度在损伤的建立过程中也起了一定的作用  相似文献   
3.
C60薄膜的离子注入损伤研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
邹云娟  严辉  陈光华  金运范  杨茹 《物理学报》1998,47(11):1923-1927
在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果. 关键词:  相似文献   
4.
研究了15.14MeV/u 136Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.  相似文献   
5.
利用傅立叶转换红外光谱和Raman谱仪分析了0.98 GeV的Fe离子在电子能损Se为3.5 keV/nm时, 不同辐照剂量(5×1010 —8×1013 ions/cm2)下, 在C60薄膜中引起的辐照损伤效应。 分析表明, Fe离子辐照引起了C60分子的聚合与损伤。 在辐照剂量达到一中间值1×1012 ions/cm2, C60分子的损伤得到部分恢复, 归因于电子激发引起的退火效应。 通过对Raman数据的拟合分析, 演绎出Fe离子辐照在C60材料中形成的潜径迹截面或引起损伤的截面约为1.32×10-14 cm2。  相似文献   
6.
室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了不同注入剂量下Si1-xCx合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850—950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si1-xCx合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 关键词: 1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金 离子注入 固相外延  相似文献   
7.
用 Raman散射和 XPS技术分析了能量为几百 ke V到几百 Me V的多种离子在 C60 薄膜中引起的辐照效应.分析结果表明 ,在低能重离子辐照的 C60 薄膜中 ,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的.在快离子 (1 2 0 ke V的 H离子和171.2 Me V的 S离子 )辐照的情况下,电子能损起主导作用.发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应 ,致使 C60 由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在 S离子辐照的情况下 ,电子能损的破坏作用超过了退火效应 ,因此 ,在C60 由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.Irradiation effecs (mainly including transformation from crystalline into amorphous state) of C 60 films induced by 120 keV H, He, N, Ar, Fe and Mo ions, 240 keV and 360 keV Ar ions, and 171.2 MeV, 125.3 MeV and 75.8 MeV S ions were analysed by means of Raman scattering and XPS technique. The analysis results indicate that amorphization process in the cases of N, Ar, Fe and Mo ions irradiation is dominated by nuclear collision, but in the case of H ion irradiation, the process is...  相似文献   
8.
纯金属中电子能损效应的实验研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
简要评述了快重离子辐照在纯金属中引起的电子能损效应的实验研究结果 ,特别是强电子能损在金属中引起的辐照缺陷的部分退火、新缺陷的产生 .离子潜径迹的形成和辐照相变等. As swift heavy ions are available for irradiation damage study, it has been tried to evidence whether electronic energy loss might play a role in the damage processes of metallic targets. Experimental investigations showed that, as increase of electronic energy loss, large amount of electronic energy loss can result in radiation annealing of part of defects produced by elastic collisions, defect creation, latent track formation, as well as phase transition, and so on. Pure metals...  相似文献   
9.
The structural modification of C60 films induced by 300-keV Xe-ion irradiation was investigated. The irradiated C60 films were analysed using Fourier transform infrared spectroscopy, the Raman scattering technique, ultraviolet/visible spectrophotometry and atomic force microscopy. The analysis results indicate that the Xe-ion irradiation induces polymerization and damage of the C60 molecule and significantly modifies the surface morphology and the optical property of the C60 films. The damage cross-section for the C60 molecule was also evaluated.  相似文献   
10.
在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/SiO2样品, 用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。 通过分析Ni/SiO2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化, 探索了离子辐照在Ni/SiO2样品中引起的界面原子混合与结构相变现象。 实验结果显示, Xe和Pb离子辐照均能引起明显的Ni原子向SiO2基体的扩散并导致界面附近Ni, Si和O原子的混合。 实验观测到低剂量Xe离子辐照可产生NiSi2相, 而高剂量Xe离子辐照则导致了Ni3Si和NiO相的形成。 根据热峰模型, Ni原子的扩散和新相的形成可能由沿离子入射路径强电子激发引起的瞬间热峰过程驱动。Ni/SiO2 interface were irradiated at room temperature with 308 MeV Xe ions to 1×1012, 5×1012 Xe/cm2 and 853 MeV Pb ions to 5×1011 Pb/cm2, respectively. These samples were analyzed using Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) and X ray diffraction spectroscopy (XRD), from which the intermixing and phase change were investigated. The obtained results show that both Xe and Pb ions could induce diffusion of Ni atoms to SiO2 substrates and result in intermixing of Ni with SiO2. Furthermore, 1.0×1012 Xe/cm2 irradiation induced the formation of NiSi2 and 5.0×1012 Xe/cm2 irradiation created Ni3Si and NiO phases. The diffusion of Ni atoms and the formation of new phase may be driven by a transient thermal spike process induced by the intense electronic energy loss along the incident ion path.  相似文献   
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