脂质体@Ag/Au中空纳米壳层材料的制备及与H2O2的作用

以脂质体作为模板, 通过化学还原法制备了脂质体@Ag/Au 中空纳米材料, 并研究了其与过氧化氢(H₂O₂)的作用. 利用透射电子显微镜(TEM)、 紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和表面增强拉曼光谱(SERS)对纳米材料进行了表征. 在过氧化氢和纳米材料存在的情况下, 加入3,3 ',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)作为显色液, 无色的TMB被氧化成蓝色的氧化TMB(oxTMB), 可以检测到反应后oxTMB在652 nm处的特征吸收强度及其拉曼光谱的变化. 实验结果表明, 当过氧化氢浓度在15100 μmol/L 范围内, oxTMB的特征吸收强度与其浓度呈线性关系, 可实现对过氧化氢的微量检测, 检测限为0.5 μmol/L.     

油樟叶多糖的大孔树脂纯化工艺研究

为研究大孔树脂纯化油樟叶多糖的最佳工艺,以脱色率、多糖保留率和蛋白质脱除率的加权综合评分为指标,首先通过静态及动态实验考察8种不同型号大孔树脂的纯化效果,优选出效果较好的树脂,再通过单因素和正交试验优化油樟叶多糖的纯化工艺参数。研究结果表明,AB-8型大孔树脂对油樟叶多糖有良好的综合纯化效果,其最佳纯化工艺参数为：油樟叶多糖的上样浓度为0.3mg/mL,洗脱剂为40%乙醇,洗脱剂流速为1.0mL/min,洗脱剂体积为2.2BV;在此工艺下纯化,油樟叶多糖保留率为86.35%,脱色率为73.03%,蛋白质去除率达81.18%。AB-8型大孔树脂对油樟叶多糖的纯化工艺稳定可靠、效果良好,为油樟叶多糖的开发利用提供了参考。     

纳米金-还原氧化石墨烯修饰葡萄糖氧化酶传感器的制备及其电流法检测饮料中的葡萄糖

利用纳米金(Au NPs)与还原氧化石墨烯(rGO)复合纳米材料制备了葡萄糖氧化酶生物传感器并用于饮料中葡萄糖含量的检测。将壳聚糖作为还原剂及稳定剂,通过一步法合成了Au NPs-rGO复合材料,并通过物理吸附固定葡萄糖氧化酶(GOx)来制作GOx生物传感器。该传感器在磷酸盐缓冲溶液(0.1 mol/L,p H6.0)中,-0.45 V(vs.Ag/Ag Cl)电位下电流法检测葡萄糖含量,线性检测范围为0.01~0.88 mmol/L,灵敏度为22.54μA·mmol-1·L·cm-2,检出限为1.01μmol/L,且表观米氏常数为0.497 mmol/L。该传感器用于多种饮料中葡萄糖含量的直接检测,结果满意。     

磁性石墨烯@聚多巴胺纳米复合材料分离去除水中双酚A

本文通过水热法和多巴胺的自我团聚反应合成了磁性石墨烯@聚多巴胺(PDA@MG)纳米复合材料,该材料具有表面积大,含有丰富的π电子共轭体系、很好的水溶液分散性,易分离及可重复使用等特点。以PDA@MG为吸附剂材料,研究了其对水溶液中双酚A(BPA)的吸附性能。考察了吸附时间、温度、溶液的pH、吸附剂的用量等因素对该材料吸附性能的影响。结果表明在优化实验条件下,PDA@MG对BPA的最大吸附容量为151.3mg/g。PDA@MG具有优异的循环吸附性能,经过10次循环使用后其吸附能力没有明显减弱。     

基于ip-iq理论的改进谐波检测方法

有源电力滤波器(APF)是电力系统中实现电能质量管理的关键设备，谐波检测作为APF的关键技术之一，检测的精度和响应速度直接决定了APF的整体性能。介绍了传统的基于瞬时无功功率理论的ip-iq谐波电流检测算法; 针对其检测精度受锁相环输出相位误差影响，以及低通滤波器的存在限制了谐波检测系统的响应速度，提出了应用锁频环技术，产生与电网电压同频的单位正余弦信号的一种改进谐波检测算法; 并提出采用滑动平均滤波器(MAF)代替低通滤波器提高其响应速度以及改善谐波检测精度; 对改进的检测算法进行了理论分析，通过MATLAB进行仿真研究，理论分析和仿真结果都证明了该方法的有效性。     

High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfO_x inserting layer

The impacts of HfO_x inserting layer thickness on the electrical properties of the ZnO-based transparent resistance random access memory(TRRAM) device were investigated in this paper. The bipolar resistive switching behavior of a single ZnO film and bilayer HfO_x/ZnO films as active layers for TRRAM devices was demonstrated. It was revealed that the bilayer TRRAM device with a 10-nm HfO_x inserted layer had a more stable resistive switching behavior than other devices including the single layer device, as well as being forming free, and the transmittance was more than 80% in the visible region. For the HfO_x/ZnO devices, the current conduction behavior was dominated by the space-charge-limited current mechanism in the low resistive state(LRS) and Schottky emission in the high resistive state(HRS), while the mechanism for single layer devices was controlled by ohmic conduction in the LRS and Poole–Frenkel emission in the HRS.     

氧分压对Ni/HfO_x/TiN阻变存储单元阻变特性的影响

采用射频磁控溅射的方法,基于不同氧分压制备的氧化铪构建了Ni/HfO_x/TiN结构阻变存储单元.研究发现,随着氧分压的增加,薄膜表面粗糙度略有降低;另一方面,阻变单元功耗降低,循环耐受性能可达10~3次,且转变电压分布的一致性得到改善.结合电流-电压曲线线性拟合结果及外加温度测试探究了器件的转变机理,得出在低阻态的传导机理为欧姆传导机理,在高阻态的传导机理为肖特基发射机理,并根据氧空位导电细丝理论,对高低阻态的阻变机理进行了详细的理论分析.     

燃烧法制备掺杂Y改性LaMgB_5O_(10)粉体及表征

以水合硝酸镧(La(NO_3)3·nH_2O)、六水硝酸镁(Mg(NO_3)2·6H_2O)为氧化剂,甘氨酸(C_2H_5NO_2)为还原剂,掺杂氧化钇(Y_2O_3)粉体,通过燃烧法合成掺杂Y改性的硼酸镁镧(LaMgB_5O_(10))粉体。研究了Y的掺杂量、焙烧温度和时间等工艺参数对合成Y改性LaMgB_5O_(10)的影响。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对产物进行表征。结果表明,当Y的掺杂量为5%,焙烧温度900℃,焙烧时间5 h时,Y改性LaMgB_5O_(10)效果最佳。Y改性LaMgB_5O_(10)在212~317 nm处出现了很强的紫外吸收峰;在280~355 nm和368~435 nm处有很强的发射宽峰。