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1.3μm场助TE光阴极In1-xGaxAsyP1-y/InP的能带计算及外延层的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In1-xGaxAsyP1-y(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In1-xGaxAsyP1-y(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。 相似文献
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本文提出了一种可提高透射式GaAs光电阴极响应速度的阴极结构方案,并对这种结构的透射式GaAs光电阴极在电场作用下的响应时间进行了理论计算。计算结果表明,这种结构可便透射式GaAs光电阴极的响应时间由1ns左右减少到几个或几十个ps。 相似文献
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采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择. 相似文献
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本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到了在不同场助偏压时,波长与量子效率的关系曲线。计算结果表明,在场助偏压的作用下,可将半导体阴极在0.9—1.25μm范围的量子效率提高两个数量级以上。本文的计算结果对场助半导体阴极的结构设计及工作条件的优化具有一定的帮助。 相似文献
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