半导体氮化铟(InN)的电学性质

本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。     

反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制， 观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功 率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系 数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了 随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象. 关键词： THz辐射 反应离子刻蚀 ZnTe     

Raman and mid-infrared spectroscopic study of geometrically frustrated hydroxyl cobalt halides at room temperature

Mid-infrared absorption and Raman spectra of the geometrically frustrated material series,hydroxyl cobalt halides β-Co 2 (OH) 3 Cl and β-Co 2 (OH) 3 Br,are first,to the best of our knowledge,measured at room temperature,to study the corresponding relationship between their vibrational spectral properties and crystal microstructures.Through the comparative analysis of the four spectra we have categorically assigned the OH-related vibration modes of hydroxyl groups in the trimeric hydrogen bond environment (Co 3 ≡OH) 3… Cl/Br,and tentatively suggested vibration modes of O-Co-O,Co-O and Cl/Br-Co-Cl/Br units.These results can also become the basis for analysing their low-temperature spectral properties,which can help to understand the underlying physics of their exotic geometric frustration phenomena around phase transition temperatures.     

磁几何阻挫材料羟基氯化钴的中红外光谱特征

使用3种光谱仪测量了磁几何阻挫材料羟基氯化钴Co₂(OH)₃Cl的中红外(4000—400 cm^-1)吸收光谱,筛选出确信为Co₂(OH)₃Cl的本征吸收峰数据,结合已知的晶体结构参数,指认了官能团和指纹区相应谱峰的来源.在指认中着重探讨了羟基伸缩振动基频模vOH的具体实验数据,根据固体中氢键的特点,以Co₃—O平均距离为基准,推算了本样品 关键词： 红外光谱 几何阻挫 羟基氯化钴 三聚氢键     

ZnTe晶体中光学整流产生的THz辐射及其电光探测研究

借助抽运-探测技术研究了ZnTe晶体中光学整流产生的太赫兹(THz)辐射，利用ZnTe晶体的线性电光效应探测THz辐射场分布，观察到了较窄(约为0.2 ps)的THz场分布及相应较宽(响应超过4 THz，半峰宽约为2.4 THz)的THz频谱，并运用琼斯矩阵对实验结果进行了理论拟合. 研究了飞秒激光脉冲波长(750—850 nm)、脉冲宽度(56—225 fs)和晶体旋转与THz辐射产生的关系. 同时改变探测光偏振方向进行偏振调制，并从理论上分析了偏振调制对THz辐射探测的影响. 关键词： THz辐射 光学整流 电光探测 ZnTe     

Study of far-infrared reflection and Raman scattering spectra in reactive ion, etched ZnTe

Far-infrared reflection and Raman scattering measurements have been carried out on reactive ion, etched p-ZnTe samples. The averaged thickness of the surface damaged layer is found to be in the range of 1.0－1.5μm, and the, etch-induced defect density is in the order of 10^{18}cm^{-3}. The Raman intensity ratio between the second-order Raman peaks and the first-order longitudinal optical phonons reveals an increase trend with the radio frequency (rf) power. With the aid of related theories, we discuss the effects of the rf plasma power and the concentration of CH_4/H_2 on the damage, disorder, and the second-order Raman structures in p-ZnTe samples.     

半导体氮化铟(InN)的电学性质

本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。     

半导体氮化铟(InN)的晶格振动

本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状，主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等，也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。     

半导体氮化铟(InN)的晶格振动

本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。