一种估计半导体激光器1/f噪声参数的新方法

对含白噪声的1/f分形信号小波变换系数的方差随尺度变化的关系进行适当的变换,提出了一种基于最小二乘法的估计半导体激光器1/f噪声参数的新方法.实验表明,该方法可以有效地提取出淹没在白噪声中的激光器1/f噪声,而且估计出的噪声信号的功率谱与对比仪器的测量结果有较好的一致性.     

970nm反射式垂直腔半导体光放大器的设计与制作

设计并制作了970 nm反射式垂直腔半导体光放大器(VCSOA),基于放大器结构,对放大器的噪声特性、增益和带宽特性进行了实验研究和理论分析.研究了反射式放大器的增益与垂直腔半导体激光器出光口径的关系,发现增益随着出光口径的增大而增大.对于970 nm的信号光,经过出光口径为400 μm的VCSOA后,最高获得了26 ...     

半导体激光器低频噪声的Lyapunov指数计算和混沌状态判定

根据小波变换和混沌噪声理论，对半导体激光器低频噪声进行了实验和理论分析.应用相轨迹、功率谱、Lyapunov指数、关联维等方法，探讨了噪声混沌模型的可行性.实验证明半导体激光器低频噪声具有混沌特性.在理论上分析了产生混沌的原因，为研究其可靠性提供了理论基础. 关键词： 混沌 Lyapunov指数 小波变换 低频噪声     

低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性

测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声,提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明:所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声,对于纯1/f噪声,噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果;对于加白噪声后的1/f噪声,噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源,而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量.     

关联成像目标重构的伪逆迭代降噪方法

结合伪逆关联成像和迭代去噪关联成像,提出了关联成像目标重构的伪逆迭代方法.该方法以伪逆关联成像重构结果为初始值,选取合适的与噪声干扰相关的阈值,通过迭代运算逼近实际的噪声干扰,最终抑制噪声并提高重构图像的峰值信噪比.以峰值信噪比和相关系数为衡量标准,将伪逆迭代关联成像的重构结果与差分关联成像、伪逆关联成像进行对比分析.仿真实验结果表明,伪逆迭代方法的峰值信噪比较伪逆关联成像方法、差分关联成像方法分别高出约1.0dB、3.1dB,同时其相关系数、视觉效果也有所改善,验证了该方法的有效性.     

微腔有机电致发光器件的谐振腔反射镜性能

根据微腔原理运用传输矩阵法对构成微腔有机电致发光器件(MOLED)谐振腔的两个反射镜进行模拟计算并比较,可观察到:随金属反射镜的反射率增大,微腔器件的电致发光(PL)谱的半峰全宽(FWHM)逐渐窄化;峰值逐渐蓝移至设计的谐振峰值520nm处;峰值强度和光谱积分强度逐渐增强。结果表明:金属反射镜反射率越大越好。随DBR反射镜的周期数从1增加到9,EL的峰值均为520nm,半峰全宽逐渐窄化,积分强度逐渐减弱;峰值强度由弱增强再减弱,4个周期时峰值强度最大,所以设计微腔器件时,DBR的周期是一项很重要的参数。DBR反射率太大不利于出光,太小微腔效应小。需要根据制作目的和需要进行合理选择。     

温度对短链多烯生物分子β胡萝卜素拉曼光谱的影响

用Gobin Yvon hr800拉曼光谱仪及与之相连接的Linkam,Thms600加热装置,测量了含9个C-C共轭双键的β胡萝卜素分子在二甲基亚砜中在25～73℃范围内的拉曼光谱.结果表明,短链多烯生物分子β胡萝卜素在液体中有很大的拉曼散射截面[6.5×10-23cm2/(molecule·Sr)],除共振效应外,β胡萝卜素分子结构有序产生较强的弱阻尼C-C键相干振动,是获得大拉曼散射截面的重要因素.温度对多烯类链状线性分子结构有序性影响很大.温度升高,分子结构有序性下降,C-C键弱阻尼相干振动减弱,C-C键长变短,各C-C键键长略有不同,使拉曼散射截面减少,拉曼光谱谱线蓝移,振动频率成分增加使线宽增加.     

一种估计半导体激光器1/f噪声参数的新方法

对含白噪声的1/f分形信号小波变换系数的方差随尺度变化的关系进行适当的变换，提出了一种基于最小二乘法的估计半导体激光器1/f噪声参数的新方法.实验表明，该方法可以有效地提取出淹没在白噪声中的激光器1/f噪声，而且估计出的噪声信号的功率谱与对比仪器的测量结果有较好的一致性. 关键词： 半导体激光器 f噪声')" href="#">1/f噪声 参数估计 小波分析     

Nickel-disilicide-assisted excimer laser crystallization of amorphous silicon

Polycrystalline silicon （poly-Si） thin film has been prepared by means of nickel-disilicide （NiSi2） assisted excimer laser crystallization （ELC）. The process to prepare a sample includes two steps. One step consists of the formation of NiSi2 precipitates by heat-treating the dehydrogenated amorphous silicon （a-Si） coated with a thin layer of Ni. And the other step consists of the formation of poly-Si grains by means of ELC. According to the test results of scanning electron microscopy （SEM）, another grain growth model named two-interface grain growth has been proposed to contrast with the conventional Ni-metal-induced lateral crystallization （Ni-MILC） model and the ELC model. That is, an additional grain growth interface other than that in conventional ELC is formed, which consists of NiSi2 precipitates and a-Si. The processes for grain growth according to various excimer laser energy densities delivered to the a-Si film have been discussed. It is discovered that grains with needle shape and most of a uniform orientation are formed which grow up with NiSi2 precipitates as seeds. The reason for the formation of such grains which are different from that of Ni-MILC without migration of Ni atoms is not clear. Our model and analysis point out a method to prepare grains with needle shape and mostly of a uniform orientation. If such grains are utilized to make thin-film transistor, its characteristics may be improved.