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MIS太阳电池由金属-半导体结构成,利用金属-半导体结的肖特基势垒(SB)产生内场来分离光生载流子.它和p-n结太阳电池相比,有如下一些优点:(1)制结快速、容易,不需高温.同时,因为是表面结,所需基片较薄,所以材料及能量消耗均较少.(2)在电池作用区避免了高温扩散引起的晶格损伤和少子寿命退化,减小了体区载流子复合.(3)延长到硅表面的电场,有助于收集短波光生少子,避免了多数p-n结太阳电池表面出现的“死层”.故紫光响应好.(4)结构适于单晶也适于多晶和非晶.(5)金属、绝缘体、半导体选择余地大,可进行多种组合以满足不同的需要.实际上,除太阳… 相似文献
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推导了晶体中立方(Oh对称)的3d3八面体基团的g因子的高阶微扰公式;其中,既包括了传统的晶场机制(涉及与d-d跃迁光谱有关的晶场激发态与基态的相互作用)的贡献,也包括了以前在晶体场理论中被忽略的荷移机制(涉及与电荷转移光谱有关的荷移激发态与基态的相互作用)的贡献.采用这个公式和由CaZrO3:Mn4 晶体光谱所得的参量,文章计算了该晶体的g因子(也包括了d-d跃迁光谱),计算结果与实验值能很好地吻合一致.计算中发现,荷移机制对g因子移动Ag.(≈g-2.002 3)的贡献在符号上与晶场机制的贡献相反,但大小已达到晶场机制贡献的62%.这表明,对晶体中高价态的3d3离子(如Mn4 和Fe5 )八面体基团,合理地解释其g因子(或其他电子顺磁共振谱参量)应同时考虑晶场机制和荷移机制的贡献. 相似文献
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在强场耦合图像中,采用双自旋-轨道耦合(SO)参量模型建立了过渡族3d2(3d8)离子的三角对称下全组态光谱能级和电子顺磁共振(EPR)公式.与经典的晶体场理论(仅考虑中心金属离子的自旋-轨道耦合作用)相比较,该公式还包括了配体离子的自旋-轨道耦合作用的贡献,这一模型在应用于计算共价性较强的晶体光谱和电子顺磁共振谱可得到合理的结果.作为验证,用完全对角化方法研究了品体NiX2(X=Cl,Br,I)的光谱和电子顺磁共振谱,结果表明,理论与实验很好地符合.建立的全组态谱能级和电子顺磁共振公式为更精确地计算光谱和电子顺磁共振谱提供了一条可行方法. 相似文献
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Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式.在这个公式中,除了与d-d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑.将这个公式应用于Ba2MgGe2O7:Cr4 晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动△g(=g-2.002 3)的贡献△gCT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%.因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献. 相似文献
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采用无透镜激光光路系统,用毛玻璃对光的散射作用来实现对细激光束的扩束并获得发散锥光.得到了锥光干涉的清晰图样.此法容易调整,装置结构也进一步简化。 相似文献
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采用强场耦合图像,建立了3d2电子组态在三角对称中的45×45能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵的方法,计算出了ZnO:V3 晶体的45条光谱能级和5个电子顺磁共振谱参量(零场分裂D,g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥),计算结果与实验数值能很好地符合.计算中还发现V3 杂质中心的局部结构与基质晶体的结构不一致,即V3 在ZnO中并不占据准确的Zn2 位置,而是沿c3轴方向位移一段距离△Z≈0.003 nm.作者对上述这些结果的合理性进行了讨论. 相似文献