优化碳包覆对正极材料LiFePO4/C高倍率性能的影响

碳包覆层的结构和形态对LiFePO4正极材料的电子电导率影响很大. 本文以聚丙烯和葡萄糖为碳源, 二茂铁为催化剂前驱体, 采用原位固相法合成LiFePO4/C复合材料, 并对其微观结构和形貌, 碳的结构与含量, 电化学性能进行分析. 结果表明, 聚丙烯热解形成的碳包覆层石墨化程度高, 可提高材料的高倍率放电性能. 二茂铁的加入有助于优化包覆层的碳结构. 制备的LiFePO4/C复合材料具有优异的高倍率电化学性能, 10C (1C=170 mA·g-1)放电比容量达到145 mAh·g-1.     

纳米TiO_2薄膜的制备及性能表征

采用溶胶-凝胶法制备了以玻璃为基底具有高光催化活性,表面均匀、透明、无裂纹的纳米TiO2薄膜.研究了反应物配比对薄膜表面形貌、透光率和光催化活性的影响,确定了最佳反应物配比.采用扣除背景干扰的方法,利用甲基橙的降解率对TiO2薄膜的光催化性能进行了评价,对其透光率、光催化活性以及物相形貌进行了表征.结果表明,在最佳反应物配比条件下,所制备的TiO2薄膜表面光滑平整,粒径为纳米级且分布均匀,具有80%高透光率和99%高光催化活性.     

多壁碳纳米管对电极染料敏化太阳能电池的性能研究

以SnO2/TiO2薄膜为光阳极,与以经酸化处理和与石墨复合的沉积在FTO导电基底的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜为对电极,I-/I-3为电解液,组装成染料敏化太阳能电池。对电极通过循环伏安法(CV曲线)、电化学阻抗谱(EIS)及极化曲线法(Tafel曲线)进行电化学催化性能的表征,组装后的电池通过伏安特性曲线(J~V)进行光电性能分析,结果表明:酸化处理及与石墨复合有利于提高对电极的催化性能及电池光电性能。开路电压及短路电流密度分别可达0.53 V、4.67 mA/cm2,其中短路电流较未经过处理的MWCNTs对电极提高27.4%,同时讨论了对电极电化学性及电池光电性能增强的机制。     

UV-Vis-草酸铁络合物-H2O2体系产生羟自由基的Fe(phen)23+光度法测定

UV－Vis－草酸铁络合物－H2O2法是一种新的高级氧化工艺，该工艺产生的羟自由基·OH具有极强的氧化能力，可与水中大多数有机物迅速反应而使其降解；用Fe(phen)23+光度法研究了该体系中羟自由基·OH产生的规律，·OH可将Fe(phen)23+(Fe2＋－菲咯啉络合物)氧化成Fe(phen)23+(Fe3＋－菲咯啉络合物),通过测定Fe(phen)23+在508nm处吸光度的变化可间接求出·OH的生成量；结果表明，在pH=4.0,=1∶5∶10（化学计量数）时，·OH的生成量最大;该分析方法具有简单、快速的优点。     

UV-Vis-草酸铁络合物-H_2O_2体系产生羟自由基的Fe(phen)_3~(2+)光度法测定

UV-Vis-草酸铁络合物 -H2O2 法是一种新的高级氧化工艺 ,该工艺产生的羟自由基·OH具有极强的氧化能力 ,可与水中大多数有机物迅速反应而使其降解 ;用Fe(phen)32+ 光度法研究了该体系中羟自由基·OH产生的规律 ,·OH可将Fe(phen)32+(Fe2 +-菲咯啉络合物)氧化成Fe(phen)33+(Fe3 +-菲咯啉络合物),通过测定Fe(phen)32+ 在508nm处吸光度的变化可间接求出·OH的生成量 ;结果表明 ,在 pH=4.0,n(Fe2+)∶n(H2O2)∶n(C2O42-)=1∶5∶10(化学计量数 )时 ,·OH的生成量最大;该分析方法具有简单、快速的优点     

Mg:Fe:LiNbO3晶体的生长及光学性能研究

在Fe:LiNbO₃中掺进MgO和Fe₂O₃以提拉技术生长Mg:Fe:LiNbO₃晶体.对晶体进行极化和还原处理.测试晶体的吸收光谱,Mg:Fe:LiNbO₃晶体吸收边相对Fe:LiNbO₃晶体发生紫移.测试晶体的红外光谱,Mg:(5 mol%)Fe:LiNbO₃晶体OH^-吸收峰由Fe:LiNbO₃晶体的3482 cm^-1移到3534 cm^-1.采用锂空位模型阐述Mg:Fe:LiNbO₃晶体,吸收边和OH-吸收峰移动的机理.测试晶体的抗光致散射能力.Mg:(5 mol%)Fe:LiNbO₃晶体抗光致散射能力比Fe:LiNbO₃晶体提高一个数量级以上.测试晶体的衍射效率和响应时间.Mg:Fe:LiNbO₃晶体响应速度比Fe:LiNbO₃晶体提高四倍.     

褪色光度法测定芬顿体系中产生的羟自由基

建立了检测Fenton反应产生羟自由基的新方法。在pH3．5条件下，经自由基与甲基紫发生反应使甲基紫褪色，在580nm处用分光光度计测定其△A值的变化，可间接测定羟自由基的生成量。通过对测定条件的研究，得到最佳实验条件。甲基紫光度法稳定性好，可作为一种简便的筛选羟自由基清除剂的方法。     

溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究

以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件。结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂。F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率。并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s。