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为了研究接触介质对金属光学性质的影响,实验中使用具有不同折射率的梯形棱镜作为衬底,将金和银蒸发到棱镜底部,用椭偏术分别测量了薄膜在金属-空气、金属-衬底界面的介电函数.结果表明:无论在Drude区,还是在带间跃迁区,金属-衬底界面处薄膜介电函数不仅与金属-空气界面处的测量值不同,而且随衬底折射率改变而改变.在固体接触条件下获得的结果与其他作者在液体接触条件下获得的结果相一致,但尚难被现有机制所解释.
关键词: 相似文献
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一种完整测量磁光克尔效应和法拉第效应的方法 总被引:3,自引:0,他引:3
详细给出了一种测量完整克尔和法拉弟效应的原理和实验装置。该装置简单可靠,安全由计算机控制。利用傅里叶变换方法,实验系统可以在从0.01度至几百度的克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第旋转角范围内以及在1.5 ̄6.0eV的光子能量范围内,准确地测量克尔和法拉第效应的绝对值。作为实验测量的例子,给出了MnBiAl合金薄膜样品和GaP块状样品的克尔和法 相似文献
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Three samples of GaAs/AlAs multiple-quantum wells with different quantum well widths and δ-doped with Be acceptors at the well center were grown on(100) Ga As substrates by molecular beam epitaxy. Polarized Raman spectra were recorded on the three samples at temperatures in a range of 4-50 K in a backscattering configuration. The two branches of coupled modes due to the interaction of the hole intersubband transitions and the quantum-well longitudinal optical(LO) phonon were observed clearly. The evaluation formalism of the Green function was employed and each lineshape of the Raman spectrum of the coupled modes was simulated. The dependence of the peak position of Raman shifts of the two coupled modes as well as the quantum-well LO phonon on the quantum-well size and measured temperature were given, and the coupling interaction mechanism between the hole subband transitions and the quantum-well LO phonon was researched. 相似文献
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使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫兹光探测器原型器件。在4.2 K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量。在6 V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运。当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4 V/W(2 μA/W)。通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2 K、6 V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2。 相似文献
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通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100) GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S_(3/2)Γ_8基态到它的三个激发态2P_(3/2)Γ_8, 2P5/2Γ_8和2P5/2Γ_7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S_(3/2)Γ_8基态到2S_(3/2)Γ_8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S_(3/2)Γ_8基态到2S_(3/2)Γ_8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S_(3/2)Γ8基态到2S_(3/2)Γ8激发态跃迁能量结果是一致的. 相似文献
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采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱(EL)和电传输特性(I-V曲线).在EL发射谱中清楚地观察到222 cm-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s3/2(Γ6+Γ7)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p5/2(Γ6+Γ7)能级的共振隧穿. 相似文献