首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   28篇
  免费   14篇
晶体学   15篇
数学   6篇
物理学   21篇
  2019年   1篇
  2015年   1篇
  2012年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   5篇
  2007年   6篇
  2006年   5篇
  2005年   11篇
  2004年   3篇
  1992年   2篇
  1990年   3篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有42条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
立体发光灯片的关键是在保证光通量的前提下,如何获得均匀的正反面发光.本文对3种荧光粉平面涂覆立体灯片的正面和反面的瞬态和稳态光通量、色温、色品坐标进行了研究,发现直接涂覆荧光粉胶的灯片总的光通量最大,但正反面的发光性能相差很大;在涂覆荧光粉之前先平面涂覆一层硅胶,可获得正反面发光较均匀的灯片;而在该硅胶层内掺杂扩散粉的灯片,不但没有提高灯片的正反面发光均匀度,反而大幅度降低了光通量值.此外,测试3种样品的发光角度,发现其发光角度分布相似,而发光强度与积分球测试的光通量比值相近.结果表明,涂覆荧光粉之前先平面涂覆一层硅胶工艺,既可以保证立体发光灯片具有较大的光通量又可以获得均匀的正反面发光.  相似文献   
2.
<正>YAG:Ce crystal with a diameter of 110 mm is successfully grown by the temperature gradient technique (TGT).The effects of annealing on the luminescence efficiency of YAG:Ce crystal are investigated,and the optimal annealing temperature and atmosphere are obtained.The mechanism of variation behavior of the luminescence efficiency of YAG:Ce under different annealing conditions is discussed and some details on the luminescence associated with color centers are analyzed.  相似文献   
3.
脉冲功率传输线磁绝缘的建立与特性分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 分析了脉冲功率传输线建立磁绝缘的暂态过程,对暂态过程中传输线的击穿与磁绝缘关系、电子的分布规律及其与建立磁绝缘的关系进行了阐述。分析了磁绝缘传输线电极间的电子分布改变传输线工作阻抗值的现象,给出了传输线稳态工作阻抗的求解方法和用稳态工作阻抗计算传输线暂态工作阻抗的方法。研究了截面尺寸变化时传输线中电子的分布和电磁波传播的折反射情况。结果表明:传输线在建立磁绝缘的过程中损失电子是必然的,损失电子是建立磁绝缘的必要条件。截面半径沿轴向变化时,其工作特性与极间距的变化有关。极间距增大时,后半段的电子电流增大,使其工作阻抗增大并与前半段相等,因而在尺寸变化处不产生反射波。极间距减小时,由于后半段提前产生损失电子,因而尺寸变化处产生反射波。  相似文献   
4.
用脉冲激光淀积法(PLD)在(111)面SrTiO3衬底上外延生长ZnO单晶薄膜。样品分别在衬底温度为350℃、500℃、600℃下外延生长。X射线衍射(XRD)的结果表明,所得的ZnO单晶薄膜结晶性能好,只出现(002)和(004)两个衍射峰,(002)峰的半高宽度(FWHM)为0.23°。在荧光光谱中我们只观察到来源于带边激子跃迁的强UV发射,并且随着生长温度的升高,紫外峰的强度逐渐增强。样品的SEM图像表明所得ZnO薄膜表面平整,晶粒均匀。衬底温度为600℃时,所得到的ZnO薄膜结构完整,晶粒尺寸最大,均匀;而且紫外发射最强。  相似文献   
5.
表面处理对蓝宝石衬底的影响   总被引:6,自引:1,他引:5  
蓝宝石衬底是目前最为普遍的一种衬底材料,是生长GaN、Zno材料最常用的衬底。本文用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)和高分辨X射线双晶衍射对蓝宝石衬底进行了分析测试,系统研究了经过机械抛光、化学机械抛光、化学腐蚀等表面处理对蓝宝石衬底表面性能的影响。结果表明经过化学机械抛光随后再经腐蚀后的蓝宝石衬底的表面性能最好。  相似文献   
6.
γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
邹军  张连翰  周圣明  徐军  韩平  张荣 《物理学报》2005,54(9):4269-4272
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易 挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibra tion technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从1169arcsec降至442arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至552arcsec.快速提拉法生长出来晶体,100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为172398×10-6/K,107 664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16 6539×10-6/K和101784×10-6/K. 关键词: 2')" href="#">γ-LiAlO2 气相传输平衡法 热膨胀系数  相似文献   
7.
The resurgence in the study of ZnO continues. The now ready availability of good-quality single crystals and films[1,2] and discovery of lasing action in the materials[3] have generated new life in an old material. A direct semi- conductor with a gap energy of 3.3 eV[4], ZnO is in the position of being able to offer a challenge to GaN in the blue laser market[5]. The advantages of ZnO are the high quality of the material and the large exciton bind- ing energy (60 meV). The large exciton bi…  相似文献   
8.
退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、a-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果。在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强。  相似文献   
9.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.  相似文献   
10.
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号