有限长FGM圆筒的热/机应力的解析解

利用微分方程的级数求解方法,分析了两端简支的有限长功能梯度圆筒的轴对称稳态热弹性问题,推导出了稳态温度场与应力场的解析解。分析中采用指数函数模型来描述FGM圆筒中材料性能在厚度方向的连续变化,同时忽略温度对材料性能的影响。另外,论文以金属钼和多铝红柱石制成的功能梯度圆筒为例,给出了稳态温度场和应力场的数值结果。     

Effect of Alumina and Chromium Interlayers on Microstructures and Optical Properties of Thin Ag Films on Glass Substrates

Effects of alumina and chromium interlayers on the microstructure and optical properties of thin Ag films are investigated by using spectrophotometry, x-ray diffraction and AFM. The characteristics of Ag films in Ag/glass, Ag/l2O3/glass and Ag/Cr/glass stacks are analysed. The results indicate that the insertion of an Al2O3 or Cr layer decreases the grains and influences the reflectance of Ag films. The reflectance of the Ag film can be increased by controlling the thickness of alumina interlayer. The stability of Ag films is improved and the adhesion of Ag films on glass substrates is enhanced by alumina as an interlayer.     

论浮力的计算

通过讨论物体下表面不与液体接触时浮力的计算,总结浮力计算的一般方法.     

负离子元素杂质破坏模型

探讨了HfO₂薄膜中负离子元素杂质破坏模型，并得出薄膜中的杂质主要来源于 镀膜材料. 用电子束蒸发方法沉积两种不同Cl元素含量的HfO₂薄膜，测定薄膜 弱吸收和损伤阈值来验证负离子元素破坏模型. 结果表明，随着Cl元素含量的增加薄膜的弱 吸收增加损伤阈值减小. 这主要是因为负离子元素在蒸发过程中形成挥发性的气源中心而产 生缺陷，缺陷在激光辐照过程中又形成吸收中心. 因此负离子元素的存在将加速薄膜的破坏 . 关键词： 负离子元素杂质 缺陷 吸收     

纳米氧化铜的制备及常温脱硫效能研究

采用硝酸铜为原料、氢氧化钠溶液为沉淀剂、使用体积比为1∶1的乙醇-水溶液为分散剂的直接沉淀法制备，通过改变工艺条件得到了三种纳米氧化铜产品，平均粒径分别为25.63，10.74和7.57 nm。采用TG-DTA、FIR、XRD和TEM等对纳米氧化铜进行表征。对产品的常温脱硫活性进行了穿透试验，并与已开发的其他常温精脱硫产品进行了比较，结果表明纳米氧化铜应用于H₂S脱硫，可在常温条件下具有优异的脱硫活性，对H₂S的脱除精度可以达到0.05 mg·m^-3以下。经过优选，产品在3 000 h^-1空速下穿透硫容达到25.3%，高于同类型的其他脱硫剂产品。     

人血清与头发中铜,锌,铁,钙,镁,锰含量的相关分析

平行测定了５４例（男３１例，女２３例）成人血清和头发中铜，锌，铁，钙，镁和锰的含量，相关分析结果表明，血清与头发中６种元素的不相关两类样品比较，血清测定方法简便，误差小，但在检测人体内元素含量水平时，头发的测量结果比血清更灵敏。     

聚合物催化剂——Ⅰ.季铵盐聚合物试剂作三氯乙酸分解的催化剂

本文合成了一些季铵盐聚合物试剂,研究了这些试剂对三氯乙酸分解生成三氯乙酰氯的催化作用。不同季铵盐聚合物催化剂对三氯乙酸分解的催化活性顺序如下: (?) (?) 聚合物催化剂经重复使用后,活性并无明显降低。     

FRS—XRSA与SAXS研究硬弹性聚丙烯的结晶度,取向与超结构：Ⅲ.应变与回复

应用全倒易空间Ｘ－射线散射理论分析（ＦＲＳ－ＸＲＳＡ）与ＳＡＸＳ研究了ＨＥＰＰ在应变（ε）与回复（Ｒ）过程中结晶、取向与超结构的变化。结果指出，ε可以诱发结晶，但当ε≥３０％后，结晶度（ＸＣ＾Ｗ）趋于不变：ε可以导致晶粒破碎；ε与Ｒ对取向分布与平均取向基本上无影响，这符合片晶平行分离模型，而非叶簧弯曲模型；发现，在ε≤３０％时，层状片晶的分离为主要过程，而当ε〉３０％后，则分离的片晶会发生断层滑移     

微机上分子实体模型的实现

本文采用简单、快速的方法在微机上实现光照与明暗处理的分子实体模型，并给出了明暗层次丰富的分子柱状模型、球柱模型和ＣＰＫ模型的显示实例。     

GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究

氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会带来沟道效应,对激光器应用会影响谐振腔中的光场分布。本文通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)生长的原位处理,实现了界面杂质聚集的有效抑制。研究发现,界面上的主要杂质是C、H、O和Si,其中C、H、O可以通过原位热清洗去除;界面Si聚集的问题主要是由衬底外延片保存过程中暴露空气带来的,其次是氮化镓衬底中Si背底浓度,在外延过程中,生长载气对氮化镓单晶衬底不稳定的N面造成刻蚀,释放的杂质元素会对二次生长界面产生影响,本文较系统地阐明了界面杂质的形成机制,并提出了解决方案。