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p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
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将石墨和六方氮化硼(h-BN)混合粉球磨120h形成的非晶B-C-N粉在4.5GPa,1600K等温退火45min. XRD,TEM和Raman散射测量结果表明,高压合成的产物由晶格常数为a1=0.2551nm,c1=0.6716nm的六方Ⅰ相和a2=1.2360nm,c2=0.8570nm的六方Ⅱ相组成,其中六方Ⅱ相为B-C-N 新相. 在室温该新相在1279,1368,1398cm-1出现三个特征Raman峰. 变温Raman测量结果表明,在测量温度T=93K时,样品中的主要相为六方Ⅰ相,随着温度的升高,六方Ⅰ相逐渐向六方Ⅱ相转变,当T>473K时,六方Ⅰ相完全转变成六方Ⅱ相. 当温度从673K降到93K过程中,样品又从六方Ⅱ相逐渐变回到六方Ⅰ相. 对这一相变的机理进行了讨论.
关键词:
B-C-N
机械球磨
高温高压
相转变 相似文献
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