各向异性准均匀介质三维散射场相干特性研究

基于电磁波的散射理论,研究了电磁平面波入射到准均匀各向异性介质的散射远场相干特性,得到了各向异性准均匀介质三维散射远场的光谱密度和光谱相干度的表达式.仿真结果表明,在各向异性准均匀介质散射势的每一个分量都是高斯相关的情况下,各向异性介质的光谱密度近似为对应的各向同性介质的光谱密度的平均,但是每个分量的权重不同,而且该权...     

甚高频激发容性耦合氩等离子体的电子能量分布函数的演变

甚高频激发的容性耦合等离子体由于离子通量和能量的相对独立可控而受到人们的关注. 本文采用朗缪尔探针诊断技术测量了40.68 MHz激发的容性耦合Ar等离子体的特性(如电子能量概率分布、电子温度和密度等)随宏观参量的演变情况. 实验结果表明, 电子能量概率分布随着气压的增加从双麦克斯韦分布逐步转变为单麦克斯韦分布并最终演变为Druyvesteyn分布, 而射频激发功率的增加促进了低能电子布居数的增强; 在从等离子体放电中心移向边界的过程中, 低能电子的布居数显著下降, 而高能电子的布居则有所上升; 放电极板间距的变化直接导致了等离子体中电子加热模式的转变. 另外, 我们也对等离子体中的高低能电子密度和温度的分配情况进行了讨论.     

源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键 关键词： 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱     

Characteristics of dual-frequency capacitively coupled SF_6/O_2 plasma and plasma texturing of multi-crystalline silicon

Due to it being environmentally friendly, much attention has been paid to the dry plasma texturing technique serving as an alternative candidate for multicrystalline silicon(mc-Si) surface texturing. In this paper, capacitively coupled plasma(CCP) driven by a dual frequency(DF) of 40.68 MHz and 13.56 MHz is first used for plasma texturing of mc-Si with SF6/O2gas mixture. Using a hairpin resonant probe and optical emission techniques, DF-CCP characteristics and their influence on mc-silicon surface plasma texturing are investigated at different flow rate ratios, pressures, and radio-frequency(RF)input powers. Experimental results show that suitable plasma texturing of mc-silicon occurs only in a narrow range of plasma parameters, where electron density n9e must be larger than 6.3 × 10cm-3and the spectral intensity ratio of the F atom to that of the O atom([F]/[O]) in the plasma must be between 0.8 and 0.3. Out of this range, no cone-like structure is formed on the mc-silicon surface. In our experiments, the lowest reflectance of about 7.3% for mc-silicon surface texturing is obtained at an [F]/[O] of 0.5 and ne of 6.9 × 109cm-3.     

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采用波长532nm的高能脉冲激光束照射40.68MHz激发的容性耦合氧等离子体,并给处于激光束中央的探针施加一定的正偏压,由此诊断氧等离子体的空间电位和电负度.实验结果表明,探针偏压从0V逐渐增加时,探针搜集的电流波形从V型向倒U型转变,转变电压点正是电负性等离子体的空间电位.尝试着给出了运用激光诱导光致剥离技术诊断电负性等离子体空间电位的经验方法.另外,探针上施加的正偏压高于等离子体空间电位时,等离子体的电负度基本保持不变.实验还表明,氧等离子体的电负度随着射频输入功率的增加而呈现下降的趋势.     

微波输入功率引起a-C∶F薄膜交联结构的增强

使用C2H2和CHF3的混合气体,在改变微波功率的条件下,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜(aC∶F).薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明:薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应地增大;借助于紫外可见光谱分析发现,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小.由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构.aC∶F薄膜的交流电导与x射线光电子能谱进一步证实了这种增强效应 关键词： 氟化非晶碳薄膜 傅里叶变换红外光谱 x射线光电子能谱     

微波等离子体化学汽相沉积法沉积CNx膜的研究

对用微波等离子体化学汽相沉积法沉积在Si基片上的CN_x膜分别进行Raman散射、X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术的分析与测试. Raman散射的研究结果表明在CH₄与N₂的流量比低于1∶8时，CN_x膜的散射谱中以非晶石墨峰的形式出现.当流量比为1∶8时，则表现为较尖锐的C≡N键(2190cm^-1)的特征峰；从X射线光电子能谱的分析结果可以看出C，N成键的方式主要是C≡N键和C—N 关键词：     

使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究

利用强度标定的发射光谱法，研究了感应耦合CF4₄/CH4₄等离 子体中空间基团的 相对密度随宏观条件（射频输入功率、气压和流量比）的变化情况. 研究表明：在所研究的 碳氟/碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF，CF2₂，CH，H和F等活 性基团外 ，还同时存在着C2₂基团，其相对密度随着放电功率的提高而增加；随着气压 的上升呈 现倒“U”型的变化. C2₂随流量比R（R=［CH4 _{关键词： 发射光谱 感应耦合等离子体 2}基团')" href="#">C2₂基团     

Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制

研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si—OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si—OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si—OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低，导致总的介电常数k增大.高Si—OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si—OH基团降低了薄膜中Si—O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si—OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量，从而提高源的电离程度，使更多的Si—OH基团断裂并通过缩合反应形成Si—O—Si网络，可以进一步降低薄膜的介电常数. 关键词： SiCOH薄膜 Si—OH结构 介电性能 ECR放电等离子体     

The influence of Exciting Frequency on N2 and N2+ Vibrational Temperature of Nitrogen Capacitively Coupled Plasma

By using optical emission spectroscopy （OES）, N2 and N2^＋ vibrational temperatures in capacitively coupled plasma discharges with different exciting frequencies are investigated. The vibrational temperatures are acquired by comparing the measured and calculated spectra of selected transitions with a least-square procedure. It is found that N2 and N2^＋ vibrational temperatures almost increase linearly with increasing exciting frequency up to 23 MHz, then increase slowly or even decrease. The pressure corresponding to the maximum point of N2 vibrational temperature decreases with the increasing exciting frequency. These experimental phenomena are attributed to the increasing electron density, whereas the electron temperature decreases with exciting frequency rising.