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2.
路慧敏  陈根祥 《中国物理 B》2011,20(3):37807-037807
GaN-based irregular multiple quantum well(IMQW) structures assembled two different types of QWs emitting complementary wavelengths for dichromatic white light-emitting diodes(LEDs) are optimized in order to obtain near white light emissions.The hole distributions and spontaneous emission spectra of the IMQW structures are analysed in detail by fully considering the effects of strain,well-coupling,valence band-mixing and polarization effect through employing a newly developed theoretical model from the k · p theory.Several structure parameters such as well material component,well width,layout of the wells and the thickness of barrier between different types of QWs are employed to analyse how these parameters together with the polarization effect influence the electronic and the optical properties of IMQW structure.Numerical results show that uniform hole distributions in different types of QWs are obtained when the number of the QWs emitting blue light is two,the number of the QWs emitting yellow light is one and the barrier between different types of QWs is 8nm in thickness.The near white light emission is realized using GaN-based IMQW structure with appropriate design parameters and injection level.  相似文献   
3.
A novel approach for the design of phosphor-free single-chip white light-emitting diodes (LEDs) is proposed by employing InAIGaN irregular multiple quantum well (IMQW) structures. The electronic and optical properties of the designed InA1GaN IMQWs are analyzed in detail by fully considering the effects of strain, well-coupling, valence band-mixing, and quasi-bound states using the effective-mass Hamiltonian deduced from k. p theory. For comparison, three different types of InAIGaN IMQW structures with ultra-wide band spontaneous emission spectra are analyzed, and the results show that phosphor-free single-chip white light LEDs with more than 20Ohm emission band can be obtained using properly designed InAIGaN IMQW structures.  相似文献   
4.
系统地研究了小注入电流(4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化过程分两个阶段:前期(100h)减小速度较快,而后逐渐变缓,呈现出与LEDs的发光光功率一致的变化规律,说明LEDs的等效极化电场在老化过程中减弱,这一变化和量子阱内缺陷的增加有明确的关系。通过电学特性测量发现同一结电压(Vj=1.8V)下的结电容Cj和由交流小信号I—V方法计算得到的注入电流1mA下的结电压Vj随老化时间增加而增大,明确了在同等小注入电流下量子阱内的载流子浓度随老化过程增加。分析表明在老化过程中InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加,形成了增强的极化电场屏蔽效应,减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小,带边辐射复合能量增大,能态密度增多,对应的发光过程的峰值波长变短(蓝移),半高宽变窄。  相似文献   
5.
路慧敏  陈根祥 《发光学报》2011,32(3):266-271
通过求解修正的基于k·p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱.计算结果表明,极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势,使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移,并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率...  相似文献   
6.
为了能够精准和快速地复现可见光波段自然光谱,实现全光谱照明,使用具有强大非线性拟合能力的神经网络完成光谱匹配。首先,利用全连接神经网络的自学习能力,在采用基于修正高斯分布拟合函数的多个单色LED合成光谱模型生成训练和测试数据集的基础上,构建充分体现合成光谱和各单色LED光强系数比例关系的神经网络模型,即该模型能够针对输入光谱得到对应的单色LED光强比例系数,进而实现光谱复现。其次,针对标准太阳光谱和实测得到的不同时刻、天气的自然光谱进行光谱复现,并与采用基于遗传算法的光谱复现方法得到的结果进行对比。结果表明,基于全连接神经网络的自然光谱复现方法能够以小于5%的误差实现标准太阳光谱和实测太阳光谱的匹配,证明可使用同一个训练模型在不改变单色LED数量和种类的条件下得到多种与目标光谱高度吻合的不同类型光谱。对比其他光谱匹配算法,所提方法的拟合速度提高了数倍,还具有稳定性高、调控灵活、操作简便等优势。  相似文献   
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