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结合机械合金化与放电等离子烧结工艺制备了Ni和Se共掺的细晶方钴矿化合物Co1-xNixSb3-ySey，研究了晶界和点缺陷的耦合散射效应对CoSb3热电输运特性的影响.通过Ni掺杂优化载流子浓度提高功率因子.在x=0.1时，功率因子达到最大值1750μWm-1K-2(450℃)，是没有掺Ni试样的两倍.晶界和点缺陷的耦合散射机理使晶格热导率急剧下降，其中Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的室温晶格热导率降低至1.67Wm-1K-1，接近目前单填充效应所能达到的最低值1.6Wm-1K-1，其热电优值ZT在450℃时达到最大值0.53.将Callaway-Von Baeyer点缺陷散射模型嵌入到Nan-Birringer有效介质理论模型，对晶界散射和点缺陷散射的耦合效应对热导率的影响进行了定量分析，模型计算与实验结果符合.理论模型计算表明，当晶粒尺寸下降到50nm同时掺杂引入点缺陷散射后，Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的晶格热导率下降到0.8Wm-1K-1.
关键词：
3')" href="#">CoSb3
Ni和Se掺杂
热电性能
耦合散射效应 相似文献
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结合机械合金化与放电等离子烧结工艺制备了Ni和Se共掺的细晶方钴矿化合物Co1-x NixSb3-ySey,研究了晶界和点缺陷的耦合散射效应对CoSb3热电输运特性的影响.通过Ni掺杂优化载流子浓度提高功率因子.在x=0.1时,功率因子达到最大值1750μWm-1K-2(450℃),是没有掺Ni试样的两倍.晶界和点缺陷的耦合散射机理使晶格热导率急剧下降,其中Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的室温晶格热导率降低至1.67Wm-1K-1,接近目前单填充效应所能达到的最低值1.6Wm-1K-1,其热电优值ZT在450℃时达到最大值0.53.将Callaway-Von Baeyer点缺陷散射模型嵌入到Nan-Birringer有效介质理论模型,对晶界散射和点缺陷散射的耦合效应对热导率的影响进行了定量分析,模型计算与实验结果符合.理论模型计算表明,当晶粒尺寸下降到50nm同时掺杂引入点缺陷散射后,Co0.9Ni0.1Sb2.85Se0.15的晶格热导率下降到0.8Wm-1K-1. 相似文献
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