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1.
采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq3有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性。电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低占据分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)的位置分别为-2.74,-6.00eV,Alq3的LUMO与HOMO的位置分别为-3.10,-5.80eV,所以CBP/Alq3有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构。小角X衍射测量显示,在小角的位置(2θ的范围在0°~3°)观察到了对应于量子阱结构的多级布拉格衍射峰,表明多层量子阱结构是有序的层状结构,界面比较完整,界面质量比较好。荧光光谱的研究结果表明,Ⅰ型量子阱结构可以有效地把能量从垒层传递给阱层,从而增强了阱层材料的发光。阱层的厚度对发光峰的位置影响很大,随阱层厚度减小,阱层材料的发光峰出现蓝移现象。并对引起发光峰蓝移的原因进行了讨论。  相似文献   
2.
以稀土配合物Tb0.5 Eu0.5(thienyhrifluroacetone)3-2,2-biphenyl(简称Tb0.5 Eu0.5(TTA)3Dipy)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK:Tb0.5 Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Alq3/A1的OLED发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612nm处的特征发射和PVK在410nm处的发光。此外,还观察到了位于490nm处的新的发光峰。通过改变不同的器件结构,分析研究了新的发光峰的性质,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物。  相似文献   
3.
固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量.其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键.为此,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能.首先将SiO2,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合:SiO2/ZnS和ZnO)/SiO2.然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO2/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中SiO2为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用.最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO2夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用.  相似文献   
4.
在不同衬底上制备的ZnO薄膜透射率的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用反应磁控溅射在不同结构衬底上生长ZnO薄膜,通过X-ray衍射(XRD)及透射光谱来分析薄膜的成膜情况,并得出在Al2O3/AlN复合基上溅射沉积的ZnO薄膜比单独在AlN薄膜衬底的结晶质量好且透过率也较高.而经不同的快速热退火温度验证,发现在400 ℃时,ZnO薄膜的结晶化及在(002)方向上的择优取向达到最好,并在可见光范围内的平均透过率达到88%以上.当退火温度超过450℃时,温度过高改变了ZnO薄膜的内部结构,使其氧原子和锌原子发生了较大距离的位移,导致薄膜内部缺陷的增多,从而存在过多的晶界,增加了其薄膜的散射机制,使光的透过性变差,退火温度为500℃时,薄膜的平均透过率为80%.  相似文献   
5.
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来改变样品成分,并在高纯N2气氛下对其进行高温退火处理。用X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对样品进行了表征,并测试了样品的光致发光谱(PL)。实验结果表明:X射线光电子能谱中出现了Si—N键合结构,同时还有少量的Si—O键生成,通过计算得出Si/N比值约为1.51,制备出了富硅的氮化硅薄膜;薄膜未经退火前,在可见光区域没有观察到明显的光致发光峰,经过高温退火后,XRD中新出现的衍射峰证实了纳米硅团簇的生成,PL图谱中在可见光区域出现了光致发光峰的蓝移现象,结合XRD结果,用纳米晶的量子限域效应对上述现象进行了合理解释。  相似文献   
6.
宋淑芳  赵德威  徐征  徐叙瑢 《物理学报》2007,56(6):3499-3503
采用多源有机分子气相沉积系统制备了不同类型的有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安法和吸收光谱、荧光光谱研究了量子阱的类型、光致发光的特性.电化学循环伏安法和吸收光谱的测量结果表明,PBD/8-羟基喹啉铝(Alq3)有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构,NPB/Alq3和BCP/Alq3有机量子阱为Ⅱ型量子阱结构.荧光光谱的研究结果表明,PBD/Alq3和BCP/Alq3量子阱结构可以实现PBD,BCP向Alq3能量完全转移,而NPB/Alq3量子阱结构,NPB和Alq3之间只是部分能量转移.文中对影响能量转移的因素进行了讨论. 关键词: 有机量子阱 能量转移  相似文献   
7.
宋淑芳  赵德威  徐征  徐叙瑢 《物理学报》2007,56(5):2910-2914
采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了Alq3,PBD/Alq3,PBD/Alq3/PBD单层、双层以及量子阱结构,利用电化学循环伏安法和吸收光谱、荧光光谱研究了量子阱的类型和样品的光致发光特性.电化学循环伏安法和吸收光谱的测量结果表明,PBD/Alq3有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构.荧光光谱的研究结果表明,单层Alq3的光致发光峰不随Alq3厚度变化而变化;但是双层PBD/Alq3结构光致发光峰随Alq3厚度的减小而发生蓝移;同样对于PBD/Alq3/PBD量子阱结构光致发光峰随Alq3厚度的减小而发生蓝移.对引起光谱蓝移的原因进行了讨论. 关键词: 有机量子阱 光谱蓝移  相似文献   
8.
有机多层量子阱结构的光致发光特性的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用多源高真空有机分子束沉积系统(OMBDs),将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs),并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD和Alq3的最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO).该结构类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构,PBD层作为势垒层,Alq3层作为势阱层和发光层,并进行了小角X射线衍射(XRD)的测量.利用荧光光谱研究了OMQWs光致发光(PL)特性,得到随着阱层厚度的降低,光致发光的峰位将蓝移;同时随垒层厚度的减小,PBD的发光峰逐渐消失.利用量子阱结构可以使PBD的能量有效的传递给Alq3,从而增强Alqa的发光.  相似文献   
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