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Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长及其全息性能的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
本文首次详细报导了Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长技术,研究了晶体的吸收光谱、衍射效率和响应时间。与Fe:LiNbO3相比,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应速度快,且衍效率较高,并具有较宽的角度响应范围,是一种优良的全意记录介质材料。 相似文献
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以双中心模型为基础,在低光强连续光条件下研究了LiNbO3∶Fe∶Mn晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能。采用数值方法,通过比较双中心模型中深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由隧穿效应引起的深浅能级之间直接电子交换过程对LiNbO3∶Fe∶Mn晶体总的空间电荷场大小起着决定性的作用。同时,这一电子交换过程对晶体非挥发全息存储性能也起着至关重要的作用。此外,通过相同实验条件下LiNbO3∶Fe∶Mn晶体与近化学比LiNbO3∶Fe晶体总的空间电荷场的比较,显示LiNbO3∶Fe∶Mn晶体在低抽运光和高记录光光强条件下有着比近化学比LiNbO3∶Fe晶体更佳的全息存储性能。 相似文献
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以双中心模型为基础, 理论研究了LiNbO3:Cu:Ce晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能. 研究中考虑了在晶体深能级中心Cu+/Cu2+ 与浅能级中心Ce3+/Ce4+ 之间由隧穿效应引起的电荷直接交换过程. 结果表明, 总的空间电荷场大小主要由深能级上的空间电荷场所决定, 并且非挥发全息存储性能主要由隧穿效应引起的深能级中心Cu+/Cu2+ 与浅能级中心Ce3+/Ce4+ 之间的电荷直接交换过程所决定. 与隧穿效应相关的材料参数对于非挥发双光双步全息存储的性能起到了至关重要的作用. 相似文献
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