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1.
高红外吸收是实现高灵敏度红外探测器的一个重要途径。探测器的响应率与热吸收率紧密相关。高红外吸收将提升红外探测器的探测性能。鉴于高吸收率的重要性,对国内外研究中典型的高红外吸收结构的研究进展进行介绍。目前典型新型高吸收结构有基于新型材料(如超材料)的高吸收结构和基于金属光栅高吸收结构。研究表明这些结构在某些波段可实现近100%的完美吸收,是发展高灵敏探测器的新途径。  相似文献   
2.
热塑性塑料的激光焊接实验研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
建立了半导体激光焊接系统,在此系统上进行了热塑性塑料的激光焊接实验,研究了不同颜料有机玻璃材料组合的激光焊接可行性,进行了有机玻璃的激光焊接实验,并对焊接样品的焊接强度进行了测试。  相似文献   
3.
半导体中的双光子吸收(2PA)与能隙的三次方的倒数(Eg-3)成正比,这一关系限制了在宽带隙半导体中获得双光子吸收系数。但是已知在输入波长迥异的高度非简并情况下,双光子吸收率较简并状态会有大幅提升。在飞秒和皮秒脉冲下的泵浦探测传输实验中证实了几种直接能隙半导体具有这种性质。发现在许多直接能隙半导体中,非简并双光子吸收率较简并情况下可增强约100倍。在GaAs中,观察到双光子吸收系数达到1cm/MW,这么大的系数以前只在窄带半导体如InSb中观察到过。基于这种作用可以利用传统的半导体光电二极管获得敏感的选通探测。采用标准的GaN和GaAs光电二极管和高达14∶1的能量比的极度非简并光子证实了此技术。此外,还采用强紫外选通脉冲探测弱红外辐射,如采用GaN光电二极管,最小可探测红外脉冲能量可低至20pJ,而现有的标准制冷型MCT探测器的最小可探测能量为200pJ。我们现在还证实这种方法也可在连续波探测中应用。值得注意的是,这个过程没有用到类似χ(2)上转换的红外晶体或相位匹配。在本报告中将介绍怎样将这种探测技术用于其他半导体,以及如何优化器件的几何结构以满足实用化探测要求。  相似文献   
4.
Fabrication and Characterization of Nanocrystalline VO2 Thin Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Nanocrystalline VO2 films with phase transition temperature 34℃ have been fabricated on SiaN4-film-coated silicon and quartz substrates by argon-annealing films of metastable VO2(B). The original VO2(B) films are obtained by ion beam sputtering in an argon-oxygen atmosphere at 200℃. The nanocrystalline VO2 films exhibit strong changes in electrical and optical properties when a phase transition is completed. The phase transition temperature in the as-fabricated samples is about 34℃, which is smaller in comparison with 68℃ in the singlecrystalline VO2 material. A lower phase transition temperature is favorable for device applications such as smart window coating and low power consumption optical switching.  相似文献   
5.
运用粒子和流体组合模型理论研究了槽型空心阴极放电中槽底阴极面上二次电子发射对放电等离子体特性、电离特性及阴极溅射的影响.研究表明,从槽底阴极面发射的电子在进入负辉区后,可以形成振荡电子,因而具有增强电离的作用.根据各阴极面上的离子的空间分布可以推知槽底附近的阴极面上的溅射较强,这可以解释槽型空心阴极放电实验中观察到的因溅射导致槽底截面形状圆形化的现象.  相似文献   
6.
针对中短波碲镉汞(MCT)红外焦平面探测器的使用要求,设计了用于混合集成和单片集成且尺寸大小与探测器像元结构匹配的方形底折射微透镜阵列。采用热熔成形和(反应)离子柬刻蚀转移技术制作了多种红外材料微透镜,如Si、Ge、GaAs、蓝宝石以及红外玻璃(IRG-103和IRG-104)微透镜。针对混合集成和单片集成的不同要求,选用多种光刻胶如AZ6112和AZ6130等不同厚度的胶以及SUN-120P低熔点正型光刻胶,进行热熔和刻蚀实验,遴选分别适用于混合和单片集成的光刻胶。优化光刻胶和衬底材料的刻蚀速率比,得到高填充因子和合适光学参数的微透镜阵列。探究了SUN-120P低熔点正型光刻胶的特性和通过离子柬刻蚀转移视线实现零间距透镜的工艺。最后介绍了与MCT红外焦平面阵列器件的集成方式和工艺进展。  相似文献   
7.
建立了空心阴极放电的二维自洽理论模型,理论研究了气压为50—120Pa,电压为150—300V的范围内Ar空心阴极放电特性、粒子密度和电离速率空间分布,特别考察了影响阴极溅射分布有关因素:阴极面上的电场、离子流和离子密度的沿阴极截面的空间分布.研究结果不仅证实了在所讨论的范围内,空心阴极效应明显存在而且发现归一化电离速率的空间分布形状强烈依赖于气压.通过研究电场、离子流和离子密度的空间分布解释了空心阴极溅射型离子激光器中不均匀阴极溅射的现象来源于阴极面附近的电场、离子流和离子密度的不均匀分布 关键词: 空心阴极放电 自洽模型 气体激光 阴极溅射  相似文献   
8.
陈永洲  陈清明  李军  赖建军  丘军林 《物理学报》1998,47(10):1665-1672
通过Monte Carlo方法,模拟了磁场下矩形空心阴极放电中电子的运动及其产生非弹性碰撞情况,得到了终止条件下电子的能量分布、空间分布和离子的空间分布.磁场的引入改变了电子的行程和产生各种非弹性碰撞的次数与位置,影响了整个放电过程.电子的各种参数分布的差异,正是由少数非弹性碰撞决定的.通过模拟得到,选择恰当的磁场强度,可以获得高的电离度,适当的离子分布和电子分布.这对于更有效地利用空心阴极的优点,发展离子型激光器,可能具有一定意义. 关键词:  相似文献   
9.
运用粒子和流体组合模型理论研究了槽型空心阴极放电中槽底阴极面上二次电子发射对放电等离子体特性、电离特性及阴极溅射的影响.研究表明,从槽底阴极面发射的电子在进入负辉区后,可以形成振荡电子,因而具有增强电离的作用.根据各阴极面上的离子的空间分布可以推知槽底附近的阴极面上的溅射较强,这可以解释槽型空心阴极放电实验中观察到的因溅射导致槽底截面形状圆形化的现象  相似文献   
10.
 运用两电子组模型,考虑了射频放电中的α过程和γ过程两种电离机制,并结合流体模型,研究了中等气压下窄电极间隙容性耦合射频放电在运行模式转变区的等离子体密度以及电离速率分布等特性。理论研究表明,γ电离过程在高电流模式运行中起主要作用,并证实了此类放电中存在显著的电子摆钟效应,具有类似于空心阴极放电的特征。  相似文献   
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