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1.
分光计测定光栅常数   总被引:2,自引:1,他引:1  
针对分光计测定光栅常数实验中入射光线偏离光栅法线的情形,提出了计算光栅常数的一个近似表达式。在不增加额外测量的前提下,使实验结果更接近于实际值。  相似文献   
2.
谢建生 《工科数学》1999,15(1):168-170
本讨论了当区间两端点都趋向于一定点时,广义Taylor中值定理中ξ的渐近性。  相似文献   
3.
Li–N dual-doped ZnO films [ZnO:(Li,N)] with Li doping concentrations of 3 at.%–5 at.% were grown on a glass substrate using an ion beam enhanced deposition(IBED) method. An optimal p-type ZnO:(Li,N) film with the resistivity of 11.4 Ω·cm was obtained by doping 4 at.% of Li and 5 sccm flow ratio of N2. The ZnO:(Li,N) films exhibited a wurtzite structure and good transmittance in the visible region. The p-type conductive mechanism of ZnO:(Li,N) films are attributed to the Li substitute Zn site(LiZn) acceptor. N doping in ZnO can forms the Lii–NOcomplex, which depresses the compensation of Li occupy interstitial site(Lii) donors for LiZnacceptor and helps to achieve p-type ZnO:(Li,N) films. Room temperature photoluminescence measurements indicate that the UV peak(381 nm) is due to the shallow acceptors LiZnin the p-type ZnO:(Li,N) films. The band gap of the ZnO:(Li,N) films has a red-shift after p-type doping.  相似文献   
4.
采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2 atm% In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为0.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析. 关键词: 氧化锌薄膜 p型掺杂 离子束增强沉积  相似文献   
5.
为探讨儿童低水平铅暴露对其GH/IGF1轴的影响,用原子吸收光谱法检测了121例0.5~16岁儿童全血铅水平(BPL),化学发光法测定了生长激素(GH)水平,酶联免疫吸附法测定了胰岛素样生长因子-1(IGF-1)和胰岛素样生长因子结合蛋白-3(IGFBP-3);按血铅水平分成两组:A组69例,B组52例,年龄最小0.5岁,最大16岁,中位数4岁。ρ(BPL)50μg/L为A组,ρ(BPL)≥50μg/L为B组,应用独立样本t检验比较了两组IGF-1、IGFBP3和GH水平的差异。结果表明,总体血铅水平为8~146μg/L,总体中位数47μg/L;A组血IGFBP3水平明显高于B组,其差异有极显著意义;A组IGF-1水平高于B组,但无统计学意义。提示低水平铅暴露可能对GH/IGF1轴产生影响,从而影响儿童体格发育。  相似文献   
6.
本文讨论了当区间两端点都趋向于一定点时,广义Taylor中值定理中ξ的渐近性  相似文献   
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