成分和过渡金属对FeZr基非晶态合金晶化温度的影响

本文系统研究了Fe_100-xZr_x,(Fe_1-xZr_x)₈₄B₁₆和Fe_90-xM_xZr₁₀(M=V,Cr,Mn,Co,Ni,Si,B)非晶态合金的晶化温度与成分的关系。主要结果有:用Zr替代Fe使晶化温度明显提高;在FeMZr非晶态合金系列中,晶化温度依M=Mn,Cr,V元素的顺序和M含量x的增大而提高,而依 关键词：     

非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)合金的相干交换散射效应

用四探针法在1.5—300K温度范围测量了非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)(x=0,2,7,10,13,16和20)合金的电阻率与温度的关系。观察到所有样品在其居里温度附近都呈现出电阻率极小值。对这一实验结果用相干交换散射模型作了定性解释。     

非晶态(Fe1-xWx)84.5B15.5合金的低温电阻率反常

研究了(Fe_1-xW_x)_84.5B_15.5(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度T_min在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当Tmin时,又出现了电阻率与温度关系的极大值,电阻率极大值的温度T_max在26—35K之间。低温电阻率反常现象与类Kondo效应及局域磁矩之间RKKY相互作用有关。 关键词：     

Ce1-xYxFe2的电子结构和磁性质

关键词：     

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

非晶态FeZrB合金的电阻率与温度的关系

本文研究了非晶态(Fe_1-xZr_x)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1,0.15)和Fe_90-xB_xZr₁₀(x=0,4,10,16,20)合金的电阻率ρ与温度T的关系。实验结果表明,当Zr含量在0.02≤x≤0.08时,ρ-T曲线出现两个线性斜率,在略高于居里温度T_c处出现转折,在T关键词：     

非晶态FeCrB合金在临界浓度附近的磁特性

非晶态(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(x=0—0.46)合金是用单辊急冷法制备.用交流互感电桥测量低场交流磁化率X与温度的关系,得到该合金系列的磁相图.用四端引线法测量了该浓度范围内的低温电阻反常.本文对非晶态FeCrB合金中的类自旋玻璃,电阻反常和因瓦效应共存现象用合金中存在自由的Fe,Cr原子和具有反铁磁耦合的自旋团进行简要的讨论.     

非晶态Fe_(87-x)Si_xB_(13)合金的磁化强度、电阻与温度的关系

本文研究了非晶态Fe_(87-x)Si_xB_(13)(x=0,9.6,14.5)合金的饱和磁化强度、电阻率与温度的关系。得到样品的居里温度T_C和晶化温度T_(cr)随Si含量的增加而明显提高。低温下的热磁关系符合布洛赫的T~(3/2)定律,计算出自旋波劲度系数D从x=0时的62meV·A~2增加到x=14.5时的111meV·A~2。从D值和Handrich理论分别推算出表示交换积分涨落的δ=<△J>~(1/2)/值相近。三个样品在低温区都出现电阻率的极小值,电阻率极小值的温度T_(min)从x=0时的10.5K增加到x=14.5时的24.6K。在T_(min)≤T≤130K和室温附近,电阻率分别与T~2和T成线性关系。用推广的Ziman理论讨论样品的电阻率与温度的关系。     

非晶态Fe87-xSixB13合金的磁化强度、电阻与温度的关系

本文研究了非晶态Fe_87-xSi_xB₁₃(x=0,9.6,14.5)合金的饱和磁化强度、电阻率与温度的关系。得到样品的居里温度T_C和晶化温度T_cr随Si含量的增加而明显提高。低温下的热磁关系符合布洛赫的T^3/2定律,计算出自旋波劲度系数D从x=0时的62meV·A²增加到x=14.5时的111meV·A²。从D值和Handrich理 关键词：