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袁娣 《原子与分子物理学报》2015,32(6)
基于密度泛函理论 Density Functional Theory 的第一性原理平面波超软赝势方法USPP,首先对Be、C掺杂AlN的晶格结构进行优化,得到其稳定结构.然后对Be、C掺杂AlN的晶格参数、结合能、能带结构、电子态密度和电荷集居数进行了详细地计算和分析.计算结果表明:Be-2C共掺杂AlN的构型具有更稳定的结构,能使受主能级变宽、非局域化特征明显.因此,Be-2C共掺杂AlN有望成为一种更稳定高效的p型掺杂手段. 相似文献
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基于密度泛函理论(density functional theory),采用第一性原理平面波超软赝势法,研究了纤锌矿AlN,Zn掺杂和Zn,O共掺杂AlN的晶体结构、能带、电子态密度、差分电荷分布及电荷布居数.计算结果表明:Zn,O共掺杂方法中引入激活施主O原子,能使受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能带变宽、非局域化特征明显、从而提高了Zn原子的掺杂浓度和系统的稳定性.Zn,O共掺杂更有利于获得p型AlN.
关键词:
第一性原理
AlN
电子结构
p型共掺杂 相似文献
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采用基于密度泛函理论和局域密度近似的第一性原理分析了Mn掺杂LiNbO3晶体的结构, 磁性, 电子特性和光吸收特性. 文中计算了Mn占据Li位和Nb位体系的形成焓, 对应的形成焓分别为-8.340 eV/atom和-8.0062 eV/atom, 也就意味着Mn 原子优先占据Li位. 这也就意味着Mn原子占据Li位的掺杂LiNbO3晶体结构更稳定. 磁性分析的结果显示, 其对应磁矩也比占据Nb位的高. 进一步分析磁性的来源, 自旋态密度结果显示: Mn掺杂LiNbO3晶体的磁性主要源于掺杂原子Mn, Mn原子携带的磁矩高达 4.3 μB, 显示出高自旋结构. 由于Mn-3d与近邻O-2p及次近邻Nb-4d 轨道的杂化作用, 计算表明: 诱导近邻O原子及次近邻Nb原子产生的磁矩对总磁矩的贡献较小. 通过光学吸收谱的分析, 得出在可见光区Li位被Mn原子替代以后显示出更好的光吸收响应相比于Nb位. 本文还分析了O空位对于LiNbO3晶体磁性与电子性质的影响, 结果显示O空位的存在可以增加Mn掺杂LiNbO3体系的磁性. 相似文献
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本文采用多组态相互作用方法计算了KCl~-阴离子前两个离解极限K(~2S_g)+Cl~-(~1S_g)和K(~2P_u)+Cl~-(~1S_g)所对应的3个电子态(X~2∑~+,A~2Ⅱ和B~2Σ~+)的电子结构.在计算中考虑了Davidson修正,核-价电子关联效应及自旋轨道耦合效应.预测了KCl~-阴离子的光谱常数和跃迁性质.计算得到(2)1/2(v')?(1)1/2(v")和(1)3/2(v')?(1)1/2(v")跃迁具有高对角分布的弗兰克-康登因子,分别为0.8816和0.8808;并且(2)1/2和(1)3/2激发态的自发辐射寿命分别为45.7和45.5 ns.分别利用(2)1/2(v')?(1)1/2(v")和(1)3/2(v')?(1)1/2(v")跃迁构建了准闭合的能级系统,冷却KCl~-阴离子所需的主激光波长分别为1065.77和1064.24 nm.同时预测了激光冷却KCl~-阴离子能达到的多普勒温度和反冲温度.计算结果为进一步激光冷却KCl~-阴离子的实验提供了理论参数. 相似文献
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基于密度泛函理论(Density Functional Theory)的第一性原理平面波超软赝势方法(USPP),首先对Be、C掺杂Al N的晶格结构进行优化,得到其稳定结构.然后对Be、C掺杂Al N的晶格参数、结合能、能带结构、电子态密度和电荷集居数进行了详细地计算和分析.计算结果表明:Be-2C共掺杂Al N的构型具有更稳定的结构,能使受主能级变宽、非局域化特征明显.因此,Be-2C共掺杂Al N有望成为一种更稳定高效的p型掺杂手段. 相似文献
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基于密度泛函理论(Density Functional Theory)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明:Be和Mg都是良好的p型掺杂剂,但是Be掺杂AlN晶体比Mg提供的空穴更多,Be比Mg更有利于AlN晶体的p型掺杂. 相似文献
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袁娣 《原子与分子物理学报》2013,30(6)
基于密度泛函理论(Density Functional Theory) 框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算分析了纤锌矿结构的AlN晶体和Be、Mg掺杂AlN晶体的晶格参数、结合能、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明: Be和Mg都是良好的p型掺杂剂,但是Be掺杂AlN晶体比Mg提供的空穴更多,Be比Mg更有利于AlN晶体的p型掺杂. 相似文献
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