基于FTO/VO2/FTO结构的VO2薄膜电压诱导相变光调制特性

采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO₂(FTO)导电玻璃衬底上制备VO₂薄膜, 研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO₂薄膜性能的影响, 对VO₂薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析, 结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO₂薄膜. 基于FTO/VO₂/FTO结构在VO₂薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时, 观察到了明显的电流突变. 当接触面积为3 mm×3 mm时, 阈值电压为1.7 V, 阈值电压随接触面积的增大而增大. 与不加电压的情况相比, FTO/VO₂/FTO结构在电压作用下高低温的红外透过率差值可达28%, 经反复施加电压, 该结构仍保持性能稳定, 具有较强的电致调控能力.     

用哈克流变仪模拟D3F反应挤出阴离子开环聚合反应

采用哈克流变仪模拟1,3,5-三甲基-1,3,5-三(3′,3′,3′-三氟丙基)环三硅氧烷(D3F)阴离子开环聚合的反应挤出试验.通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定其绝对分子量,并通过红外光谱(FT-IR)和核磁共振氢谱(1H-NMR)表征其结构.研究表明:在促进剂乙酸乙酯作用下,120 ℃下反应4 min可得到数均分子量为2.45×105的氟硅聚合物,反应温度、时间对制备氟硅聚合物有一定的影响.     

基于PSVR的微机械陀螺温度漂移预测

针对中低精度微机械陀螺静态零位输出随温度漂移严重的问题,将应用于分类的近似支持向量机(PSVM)扩展到回归分析中,提出了使用近似支持向量回归机(PSVR)进行建模和预测的方法.该方法的原始优化问题基于等式约束,可采用直接法求取最优解,利用核函数可以方便地实现线性算法的非线性化,并具有良好的泛化能力.分段和连续温度测试结果表明,与常用的最小二乘支持向量回归机(LSSVR)相比,PSVR算法简单,训练速度快,尤其在大规模数据集处理上更具优势.     

激光冷却获得高亮度的亚稳态惰性气体原子束和原子阱

高强度的亚稳态惰性原子束流在原子分子物理实验研究中具有广泛的应用.使用射频电离方法和激光横向冷却技术制备了高强度的亚稳态氪原子束流,并使用数值模拟方法对横向冷却激光场中的原子径迹进行了分析.通过激光诱导荧光光谱方法测量原子束的束流特性,结果显示,横向冷却后在束流源下游230 cm处的原子束流强度达1.6atoms/(s*sr),束流强度提高了两个量级.利用这种高强度原子束流,我们成功囚禁了1.3×10¹⁰个亚稳态⁸⁴Kr原子,同时冷原子装载速率达到了3.0×10¹¹atoms/s;并利用该装置成功地实现了高亮度的亚稳态氩原子束和原子阱. 关键词： 横向冷却 原子束 原子阱 惰性气体