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1.
通过制备晶粒尺寸处于0.1-10 μm之间的致密Ba0.70Sr0.30TiO3陶瓷,系统研究了晶粒尺寸对居里温度TC、铁电相介电常数εF、峰值介电常数εM的影响规律,并深入分析了其内在的影响机理.研究表明:晶粒尺寸减小时,TC刚开始基本不变,直到晶粒尺寸小到一定程度时才开始降低,此变化规律可由Buesseum的内应力模型解释;随晶粒尺寸的增加,εF先增加后减小,此变化规律可由Shaikh的串并联模型来解释,主要影响因素有内应力、畴、晶界;εM随晶粒尺寸的增加,在晶粒尺寸较小时先增加后减小,晶粒尺寸较大时略有增加,此变化规律可由弥散相变理论和串并联模型共同解释,在晶粒尺寸较小时主要影响因素为内应力、微畴和晶界,晶粒尺寸较大时主要影响因素为晶界.  相似文献   
2.
对材料损伤破碎规律的分析是研究材料损伤断裂行为的一种有效途径。本文着重介绍了高应变率加载下材料损伤破碎规律的研究进展、基于损伤断裂机理的研究以及材料损伤破碎过程自相似性的分形理论研究,讨论了材料损伤破碎规律与材料自身属性和外部加载条件的相互关系。  相似文献   
3.
余罡  董显林  王根水  陈学锋  曹菲 《物理学报》2010,59(12):8890-8896
在正弦电场E=E0sin(2πft)加载下,通过改变电场E0(5—55kV/cm)和频率f(0.1—100Hz),测量了37BiScO3-63PbTiO3铁电陶瓷材料的电滞回线.数据拟合结果表明:在低电场和高电场阶段,剩余极化强度Pr的对数和矫顽场强Ec的对数都与电场强度E0的对数存在线性关系,而介于高电场与低电场之间则无线性关系存在,这种三阶段行为有别于现有的两阶段行为.这可归结于铁电陶瓷在不同的电场作用下铁电极化机理的不同.  相似文献   
4.
设计了一种脉冲形成线用新型CaO-TiO2-Al2O3基介质陶瓷体系,采用传统固相法通过优化组分和制备工艺,调控材料的微结构,获得了介电性能优异的介质陶瓷。其介电常数在15~35之间可调,介电损耗小于0.002,频率稳定性好。在厚度为1 mm时,介电强度高达50 kV/mm。研究了厚度对CaO-TiO2-Al2O3基介质陶瓷介电强度的影响规律,当厚度从1 mm减小到0.1 mm时,介电强度呈非线性增大,从50 kV/mm(1 mm厚样品)提高到92 kV/mm(0.1 mm厚样品),可见,CaO-TiO2-Al2O3基介质陶瓷的电击穿与其机械损坏具有相似性。结合CaO-TiO2-Al2O3基介质陶瓷的化学组分和微观结构,CaO-TiO2-Al2O3基介质陶瓷优越的电击穿特性可以用弱点击穿理论解释。  相似文献   
5.
脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
陈学锋  李华梅  李东杰  曹菲  董显林 《物理学报》2008,57(11):7298-7304
采用低锆区的Pb(Zr0.42Sn0.40Ti0.18)O3(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基, 通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr, Sn, Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷, 其最大极化强度Pmax≈20.66μC/cm2, 剩余极化强度Pr≈0.55μC/cm关键词: 细电滞回线 铁电陶瓷 PZST 脉冲电容器  相似文献   
6.
采用传统固相法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)和BaZrxTi1-xO3(x=0.25,0.3,0.35,0.4)(BZT)陶瓷,并对其在直流偏置电场下的介电常数非线性行为进行了系统、详细的研究.结果表明,基于Devonshire的宏观相变理论(phenomenological theory)提出的公式εr(app)=1/[1+αε3τ(0)E2]1/3和ε(E)=ε1-ε2 E2+ε3E4,均可定量地解释BST体系顺电相的介电常数非线性行为,其中εr(app)表示材料在电场下的介电常数,ε(0)表示不加电场即静态下材料的介电常数,α是非谐性因子,E表示电场强度,ε(E)表示材料在电场下的介电常数,ε1,ε2,ε3分别表示线性、非线性和高阶介电常数.而对于处于铁电相和居里温度附近的BST体系,则需要考虑铁电畴对介电常数非线性的贡献,这种贡献随着外加直流偏置电场强度的增大逐步减小.对于弛豫铁电体BZT体系,即使处于顺电相,也必须考虑由极性微区的冻结与合并引起的介电常数的下降,极性微区对介电常数非线性的贡献随着电场强度和温度的上升而有所下降.  相似文献   
7.
梁瑞虹  董显林  陈莹  曹菲  王永龄 《物理学报》2005,54(10):4914-4919
采用传统固相法制备了Ba0.6Sr0.4TiO(BST)和BaZr< sub>xTi1-xO(x=0.25,0.3,0.35,0.4)(BZT)陶瓷 ,并对其在直流偏置电场下的介电常数非线性行为进行了系统、详细的研究.结果表明,基 于Devonshire的宏观相变理论(phenomenological theory)提出的公式εr(app) εr(0)=1[1+αεr(0)E1/3和ε(E)=ε1-ε2E23E4,均可定量地解释BST体系顺电相的介电常数非线性行为,其中εr (app)表示材料在电场下的介电常数,εr(0)表示不加电场即静态下材料 的介电常数,α是非谐性因子,E表示电场强度,ε(E)表示材料在电场下的介电常数,ε,ε,ε分别表示线性、非线性和高阶介电常数. 而对于处于铁电相和居里温度附近的BST体系,则需要考虑铁电畴对介电常数非线性的贡献 ,这种贡献随着外加直流偏置电场强度的增大逐步减小.对于弛豫铁电体BZT体系,即使处于 顺电相,也必须考虑由极性微区的冻结与合并引起的介电常数的下降,极性微区对介电常数 非线性的贡献随着电场强度和温度的上升而有所下降. 关键词: BST xTi1-xO')" href="#">BaZrxTi1-xO 可调性 介电 常数非线性 直流偏置电场  相似文献   
8.
曾涛  董显林  毛朝梁  梁瑞虹  杨洪 《物理学报》2006,55(6):3073-3079
采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷,并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明:孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数,提高了静水压优值,并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测;晶粒尺寸增加,多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加,并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷,当烧结温度为1300℃时,孔隙率为34%,d关键词: 多孔PZT陶瓷 静水压优值 压电性能 介电性能  相似文献   
9.
采用添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率PZT95/5铁电陶瓷,对其进行电场极化,随后开展了准静态单轴压缩实验,讨论了畴变、相变以及孔隙率对极化PZT95/5铁电陶瓷的力学响应与放电特性的影响.研究结果表明:(1)多孔极化PZT95/5铁电陶瓷非线性力学响应行为主要归因于畴变和相变的共同作用,与内部孔洞变形和坍塌基本无关;(2)在准静态单轴压缩下极化PZT95/5铁电陶瓷的去极化机制是畴变和相变的共同作用;(3)孔隙率对极化PZT95/5铁电陶瓷的弹性模量、压缩强度有明显的影响,而对断裂应变的影响较小;(4)极化PZT95/5铁电陶瓷畴变和相变开始的临界应力都随着孔隙率的增大而线性衰减,但相变开始的临界体积应变却不依赖孔隙率;(5)极化PZT95/5铁电陶瓷电荷饱和释放量随着孔隙率呈线性减小,但孔隙率对电荷释放速率基本没有影响.  相似文献   
10.
制备了四种不同孔隙率的Pb0.99(Zr0.95Ti0.05)0.98Nb0.02O3铁电陶瓷,并研究了冲击波作用下孔隙率对陶瓷去极化性能的影响.研究表明:短路负载条件下陶瓷的放电波形不随孔隙的加入而改变,均为方波.多孔陶瓷的放电脉冲幅度较低,脉冲宽度较长.释放的电荷量随着孔隙率的增加而减小,与静态电滞回线测试结果一致.多孔陶瓷具有较低的冲击阻抗,改善了与封装介质的阻抗匹配.用Lysne模型拟合了材料在高电阻负载条件下的放电行为,并指出高电阻负载条件下材料的介电常数是静态介电常数的4—5倍,而且材料的介电常数随孔隙率的增加而减小.冲击波通过样品以后,电路的放电时间常数随着孔隙率的增大而增大.随着电阻的增大,样品负载电压增高,材料铁电-反铁电相变受到抑制,电流上升沿变缓,致密陶瓷出现了击穿现象.  相似文献   
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